[实用新型]一种砷化镓晶体生长用单晶炉

说明书

本实用新型涉及砷化镓技术领域，且公开了一种砷化镓晶体生长用单晶炉，包括炉体，所述炉体的顶部固定安装有炉盖，所述炉体的左侧壁内部固定安装有观察窗，所述观察窗的下方且位于炉体的内部固定安装有数量为三个的射频线感应圈，所述炉体的底部固定安装有夹持座，所述夹持座的底部固定安装有固定座。该砷化镓晶体生长用单晶炉，通过设置射频线感应圈，可以提供热量来源，设置电机、减速器和转动轴，可以使得炉体内部的受热箱可以转动，使得受热更加均匀，设置三个射频线感应圈的间距相等，通过控制单个与单个射频线感应圈之间的温度差，从而使得垂向温度梯度能够控制，提高成晶率的重复性，进而达到成晶率高的效果。

技术领域

本实用新型涉及砷化镓技术领域，具体为一种砷化镓晶体生长用单晶炉。

背景技术

砷化镓可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料，用来制作集成电路衬底、红外探测器和γ光子探测器等，由于其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用，用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。

现有的砷化镓晶体生长用单晶炉存在加热过程中，热场分布不均匀，且垂向温度梯度不方便控制，造成砷化镓晶体生长的成晶率低，故而提出一种砷化镓晶体生长用单晶炉来解决上述提出的问题。

实用新型内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本实用新型提供了一种砷化镓晶体生长用单晶炉，具备成晶率高等优点，解决了现有的砷化镓晶体生长用单晶炉存在加热过程中，热场分布不均匀，且垂向温度梯度不方便控制，造成砷化镓晶体生长的成晶率低的问题。

(二)技术方案

为实现上述成晶率高目的，本实用新型提供如下技术方案：一种砷化镓晶体生长用单晶炉，包括炉体，所述炉体的顶部固定安装有炉盖，所述炉体的左侧壁内部固定安装有观察窗，所述观察窗的下方且位于炉体的内部固定安装有数量为三个的射频线感应圈，所述炉体的底部固定安装有夹持座，所述夹持座的底部固定安装有固定座，所述固定座的内部固定安装有电机，所述电机输出轴的顶部且位于的固定座的内部固定安装有减速器，所述减速器远离电机输出轴的一端固定安装有延伸至炉体内部的转动轴，所述转动轴的外侧且位于炉体的内部固定安装有轴承，所述转动轴的外侧且位于轴承的上方活动安装有托盘，所述托盘的外侧固定安装有数量为四个的连接座，四个所述连接座的内侧均固定安装有延伸至炉体内侧壁的固定杆，所述转动轴远离减速器的一端固定安装有受热箱。

优选的，所述托盘呈圆饼状，托盘的中部开设有与转动轴相适配的通孔，四个所述连接座呈对称式位于托盘的外侧。

优选的，四个所述固定杆远离连接座的一端均固定安装有连接片，四个连接片远离固定杆的一端均与炉体的内侧壁固定连接。

优选的，所述炉体的左侧壁内部开设有与观察窗相适配的安装槽，观察窗的截面呈平行四边形。

优选的，所述固定座的内部固定安装有电机固定盒，电机固定盒的内部开设有与电机相适配的安装室。

优选的，所述炉体的内部开设有加热室腔，加热室腔的外侧且位于炉体的内部开设有数量为三个与射频线感应圈相适配的安装孔，三个射频线感应圈的间距相等。

(三)有益效果

与现有技术相比，本实用新型提供了一种砷化镓晶体生长用单晶炉，具备以下有益效果：