[实用新型]一种电阻器件结构

说明书

本实用新型提供一种电阻器件结构，包括：衬底，衬底包括浅沟槽隔离区，浅沟槽隔离区上方的多晶硅层，以及至少一个接触结构，接触结构包括：第一金属接触和第二金属接触，第一金属接触位于多晶硅层上，第二金属接触位于衬底上，第一金属接触和第二金属接触连接。这样，通过在多晶硅层上设置第一金属接触，在衬底上设置第二金属接触，并将第一金属接触和第二金属接触连接在一起，从而将多晶硅层上的热量通过第一金属接触以及第二金属接触传递至衬底中，利用金属的导热性以及衬底的散热能力，降低多晶硅层的温度，提高电阻的稳定性。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种电阻器件结构。

背景技术

电阻器是电子电路中应用最多的电子元件，电阻器在电路中的作用为：降低电压，分配电压，限制电流等。

目前，较为常用的电阻器为多晶硅电阻器，但是多晶硅电阻器在较高温度作用下阻值具有不稳定性，尤其是处于有瞬间大电流的电路中时，由于焦耳热效应，多晶硅层的电阻在瞬间大电流时的瞬间温度会升高，导致电阻器阻值变大甚至烧坏。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种电阻器件结构，提高电阻器件在瞬间大电流时的电阻稳定性。

为实现上述目的，本实用新型有如下技术方案：

一种电阻器件结构，包括：

衬底，所述衬底包括浅沟槽隔离区，所述浅沟槽隔离区上方的多晶硅层；

以下至少一个接触结构；

每一个所述接触结构均包括第一金属接触和第二金属接触；

所述第一金属接触位于所述多晶硅层上，所述第二金属接触位于所述衬底上，所述第一金属接触与所述第二金属接触连接。

可选的，所述第二金属接触与所述衬底之间连接有反偏PN结。

可选的，所述第二金属接触的个数至少为两个；

则所述第二金属接触位于所述衬底上包括：

两个所述第二金属接触分别位于所述浅沟槽隔离区相对侧的所述衬底上。

可选的，所述接触结构包括以下至少两个：第一接触结构和第二接触结构；

所述第一接触结构至少包括：一个所述第一金属接触，两个所述第二金属接触，两个所述第二金属接触分别位于所述浅沟槽隔离区的相对侧，所述一个第一金属接触和所述两个第二金属接触连接；

所述第二接触结构至少包括：一个所述第一金属接触，两个所述第二金属接触，两个所述第二金属接触分别位于所述浅沟槽隔离区的相对侧，所述一个第一金属接触和所述两个第二金属接触连接。

可选的，所述第一金属接触与所述第二金属接触连接包括：

所述第一金属接触与所述第二金属接触通过金属连线层连接。

可选的，还包括：第三金属接触和第四金属接触，所述第三金属接触和所述第四金属接触位于所述多晶硅层上，所述第三金属接触连接第一电压，所述第四金属接触连接第二电压。

可选的，所述至少一个接触结构均位于所述第三金属接触和所述第四金属接触之间。

可选的，所述第一金属接触、所述第二金属接触、所述第三金属接触以及所述第四金属接触的材质和尺寸均相同。

可选的，所述多晶硅层的面积小于所述浅沟槽隔离区的面积。

可选的，所述浅沟槽隔离区为二氧化硅层。