[实用新型]一种电阻器件结构有效
| 申请号： | 202021102854.8 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN212084982U | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 王志强 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L49/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 器件 结构 | ||
1.一种电阻器件结构，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括浅沟槽隔离区，所述浅沟槽隔离区上方的多晶硅层；
以下至少一个接触结构；
每一个所述接触结构均包括第一金属接触和第二金属接触；
所述第一金属接触位于所述多晶硅层上，所述第二金属接触位于所述衬底上，所述第一金属接触与所述第二金属接触连接。
2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第二金属接触与所述衬底之间连接有反偏PN结。
3.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第二金属接触的个数至少为两个；
则所述第二金属接触位于所述衬底上包括：
两个所述第二金属接触分别位于所述浅沟槽隔离区相对侧的所述衬底上。
4.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述接触结构包括以下至少两个：第一接触结构和第二接触结构；
所述第一接触结构至少包括：一个所述第一金属接触，两个所述第二金属接触，两个所述第二金属接触分别位于所述浅沟槽隔离区的相对侧，所述一个第一金属接触和所述两个第二金属接触连接；
所述第二接触结构至少包括：一个所述第一金属接触，两个所述第二金属接触，两个所述第二金属接触分别位于所述浅沟槽隔离区的相对侧，所述一个第一金属接触和所述两个第二金属接触连接。
5.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，所述第一金属接触与所述第二金属接触连接包括：
所述第一金属接触与所述第二金属接触通过金属连线层连接。
6.根据权利要求1-5任意一项所述的结构，其特征在于，还包括：第三金属接触和第四金属接触，所述第三金属接触和所述第四金属接触位于所述多晶硅层上，所述第三金属接触连接第一电压，所述第四金属接触连接第二电压。
7.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，所述至少一个接触结构均位于所述第三金属接触和所述第四金属接触之间。
8.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，所述第一金属接触、所述第二金属接触、所述第三金属接触以及所述第四金属接触的材质和尺寸均相同。
9.根据权利要求1-5任意一项所述的结构，其特征在于，所述多晶硅层的面积小于所述浅沟槽隔离区的面积。
10.根据权利要求1-5任意一项所述的结构，其特征在于，所述浅沟槽隔离区为二氧化硅层。
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