[实用新型]一种测试结构

说明书

本申请提供一种测试结构，包括：至少两层层叠分布的离子注入层，所述离子注入层至少包括顶层离子注入层和待测离子注入层，所述待测离子注入层与相邻的离子注入层电绝缘；辅助测试层，与所述待测离子注入层和所述顶层离子注入层邻接，所述辅助测试层与所述待测离子注入层电连通且与邻接的其他离子注入层电绝缘；第一导电引线，所述第一导电引线与所述辅助测试层电连接。本申请的测试结构可以测试多层离子注入层的电阻。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种测试结构。

背景技术

晶圆在加工完成时及出厂前，都要进行晶圆合格测试(WAT，Wafer AcceptanceTest)。为了测试芯片工艺中是否出现异常以及是否具有良好的电性能，会定义许多不同的测试结构。

离子注入工艺在芯片制造过程中非常重要，离子注入的剂量、能力等直接影响器件的可靠性和电性能，一般通过测试离子注入层的电学参数，例如电阻来反应离子注入的情况是否符合规定。随着半导体器件的发展，在芯片工艺中需要形成多层离子注入层，而现有的测试结构只能测试顶层离子注入层的电阻，无法测试其他层的离子注入层的电阻。

实用新型内容

本申请解决的技术问题是提供一种测试结构，能够测试多层离子注入层的电阻。

为解决上述技术问题，本申请提供了一种测试结构，包括：至少两层层叠分布的离子注入层，所述离子注入层至少包括顶层离子注入层和待测离子注入层，所述待测离子注入层与相邻的离子注入层电绝缘；辅助测试层，与所述待测离子注入层和所述顶层离子注入层邻接，所述辅助测试层与所述待测离子注入层电连通且与邻接的其他离子注入层电绝缘；第一导电引线，所述第一导电引线与所述辅助测试层电连接。

在本申请的实施例中，所述辅助测试层与所述待测离子注入层的掺杂离子类型相同，且与邻接的其他离子注入层的掺杂离子类型不同。

在本申请的实施例中，所述待测离子注入层与相邻的离子注入层的掺杂离子类型不同。

在本申请的实施例中，所述掺杂离子为P型掺杂离子或N型掺杂离子。

在本申请的实施例中，所述测试结构还包括第二导电引线，所述第二导电引线与所述顶层离子注入层电相连。

在本申请的实施例中，所述离子注入层包括层叠分布的顶层离子注入层和第二离子注入层；所述待测离子注入层为第二离子注入层，所述辅助测试层仅与所述顶层离子注入层和所述第二离子注入层邻接。

在本申请的实施例中，所述第二离子注入层的下方还形成有至少一层离子注入层。

在本申请的实施例中，所述离子注入层包括层叠分布的顶层离子注入层、第二离子注入层和第三离子注入层；所述待测离子注入层为第三离子注入层，所述辅助测试层与所述顶层离子注入层、所述第二离子注入层以及第三离子注入层邻接。

在本申请的实施例中，所述辅助测试层位于所述待测离子注入层和所述顶层离子注入层的侧壁。

在本申请的实施例中，所述辅助测试层的底面不低于所述待测离子注入层的底面。

与现有技术相比，本申请技术方案的测试结构设置与待测离子注入层和顶层离子注入层邻接的辅助测试层，并使所述辅助测试层与所述待测离子注入层电连通而与邻接的其他离子注入层电绝缘，并在所述辅助测试层上设置导电引线，测试时仅需将所述导电引线接入电路即可测试待测离子注入层的电阻情况，检测WAT中的在线异常，避免不良晶片出厂。

附图说明