[实用新型]一种测试结构有效
| 申请号： | 202021102544.6 | 申请日： | 2020-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN211980612U | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 孟丽华;王兴;李洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66;G01R27/02 |
| 代理公司： | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人： | 刘荣娟 |
| 地址： | 300385*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 测试 结构 | ||
1.一种测试结构，其特征在于，包括：
至少两层层叠分布的离子注入层，所述离子注入层至少包括顶层离子注入层和待测离子注入层，所述待测离子注入层与相邻的离子注入层电绝缘；
辅助测试层，与所述待测离子注入层和所述顶层离子注入层邻接，所述辅助测试层与所述待测离子注入层电连通且与邻接的其他离子注入层电绝缘；
第一导电引线，所述第一导电引线与所述辅助测试层电连接。
2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述辅助测试层与所述待测离子注入层的掺杂离子类型相同，且与邻接的其他离子注入层的掺杂离子类型不同。
3.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述待测离子注入层与相邻的离子注入层的掺杂离子类型不同。
4.根据权利要求3所述的测试结构，其特征在于，所述掺杂离子为P型掺杂离子或N型掺杂离子。
5.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，还包括第二导电引线，所述第二导电引线与所述顶层离子注入层电相连。
6.根据权利要求3所述的测试结构，其特征在于，所述离子注入层包括层叠分布的顶层离子注入层和第二离子注入层；
所述待测离子注入层为第二离子注入层，所述辅助测试层仅与所述顶层离子注入层和所述第二离子注入层邻接。
7.根据权利要求6所述的测试结构，其特征在于，所述第二离子注入层的下方还形成有至少一层离子注入层。
8.根据权利要求3所述的测试结构，其特征在于，所述离子注入层包括层叠分布的顶层离子注入层、第二离子注入层和第三离子注入层；
所述待测离子注入层为第三离子注入层，所述辅助测试层与所述顶层离子注入层、所述第二离子注入层以及第三离子注入层邻接。
9.根据权利要求3所述的测试结构，其特征在于，所述辅助测试层位于所述待测离子注入层和所述顶层离子注入层的侧壁。
10.根据权利要求9所述的测试结构，其特征在于，所述辅助测试层的底面不低于所述待测离子注入层的底面。
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