[实用新型]天线组件及包括该组件的电感耦合等离子体处理装置

说明书

本实用新型涉及电感耦合等离子体处理装置用天线组件及包括该组件的电感耦合等离子体处理装置，在对基板进行工艺处理的工艺空间生成电感耦合等离子体，以对基板进行工艺处理。本实用新型的电感耦合等离子体处理装置用天线组件包括：输入天线，与外部的电源连接；输出天线，用于向外部输出与所述输入天线连接的电源所提供的电流；连接天线，其相对于所述输入天线和所述输出天线沿着横向配置，且一端分别连接在所述输入天线和所述输出天线；以及桥式天线，其相对于配置有所述连接天线的平面向上方隔开配置，用于对所述连接天线之间进行连接，所述连接天线分别连接在所述输入天线和所述输出天线上。

技术领域

本实用新型涉及一种电感耦合等离子体处理装置用天线组件及包括该组件的电感耦合等离子体处理装置，更具体涉及在对基板进行工艺处理的工艺空间生成电感耦合等离子体，从而对基板进行工艺处理的电感耦合等离子体处理装置用天线组件以及包括该组件的电感耦合等离子体处理装置。

背景技术

制造半导体，显示器以及太阳能电池(solar cell)等工艺处理过程包括用于在基板(晶片，玻璃基板)的表面上形成电图案的蚀刻工艺。这种蚀刻工艺分为湿蚀刻法和干蚀刻法，近来，相对于湿蚀刻法，广泛使用工艺效率更好的干蚀刻法。

其中，制造半导体、显示器以及太阳能电池等领域里，在干蚀刻法中广泛使用利用电感耦合等离子体的电感耦合等离子体处理装置。电感耦合等离子体处理装置利用感应电场将向进行工艺处理基板的工艺空间供给工艺气体变换成电感耦合等离子体状态。通过电感耦合等离子体装置生成的电感耦合等离子体与基板的表面冲突过程中进行蚀刻工艺。

另一方面，上述电感耦合等离子体处理装置包括：高频电源；天线，被施加高频电源，以在处理基板的工艺空间产生电感耦合等离子体；绝缘体的电介质窗；以及用于支撑电介质窗的框架。配置于天线下部的电介质窗和支撑电介质窗的框架根据在工艺空间进行基板处理的基板的尺寸而定。例如，显示器制造领域中，每个制造商之间都存在差异，但如6G，8G，10G等，按代区分基板的尺寸并使用。按代区分这些基板的尺寸时，相对于基板的尺寸，电介质窗的尺寸也在增加。

电介质窗通常由陶瓷材料制造，材料的物理特性上，达到一定的尺寸后，很难再与基板的尺寸相应地增加尺寸。考虑到这种电介质窗的物理特性，将电介质窗分隔成多个，以对应于基板的尺寸。分隔成多个的电介质窗由框架部支撑。框架部由作为被腔室支撑的边框区域的框架以及配置在框架的内部用于支撑被分隔成多个电介质窗的多个框架杆构成。框架部具有与电介质窗对应的尺寸，该电介质窗的尺寸对应于基板的尺寸。框架部由导电性金属材料制成，支撑多个电介质窗。

但是，现有电感耦合等离子体处理装置中，随着施加高频电源而生成感应电流的天线与导电性材质的框架部之间需要彼此绝缘。因此，天线和框架部配置成彼此不接触。如上述，当增加框架部的尺寸(面积)时，为了维持框架部的强度，只能整体增加框架部的厚度。随着增加这些框架部的厚度，需要防止天线和厚度增加的框架部之间彼此接触的结构。另外，在防止天线和框架部的彼此接触的同时，根据框架部的厚度变更天线的配置结构时，需要通过控制阻抗来消除等离子体密度的不均匀性。

在先技术文献

专利文献

韩国授权专利公报第1512086号：等离子体天线及包括其的等离子体发生装置

实用新型内容

技术问题

本实用新型的目的在于，提供一种通过改善天线的配置结构，能够防止框架和天线之间的彼此接触的电感耦合等离子体处理装置用天线组件及包括该组件的电感耦合等离子体处理装置。

另外，本实用新型的另一目的在于，提供一种通过用于避免天线和框架部的彼此接触的改善的天线配置结构，易于控制阻抗，以便消除等离子体密度的不均匀性的电感耦合等离子体处理装置用天线组件及包括该组件的电感耦合等离子体处理装置。

技术方案