[实用新型]一种功率器件驱动电路和逆变电路有效
| 申请号： | 202021066177.9 | 申请日： | 2020-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN211930496U | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 杨永江 | 申请（专利权）人： | 华芯威半导体科技（北京）有限责任公司 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08;H02M7/48 |
| 代理公司： | 北京邦创至诚知识产权代理事务所(普通合伙) 11717 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100744 北京市大兴区北京经济*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 驱动 电路 | ||
1.一种功率器件驱动电路，其特征在于，包括：功率半导体开关器件和具有小反向恢复电流的续流二极管，其中，功率半导体开关器件的栅极上电阻设置为小于其栅极下电阻。
2.根据权利要求1所述的功率器件驱动电路，其特征在于，包括：
当功率半导体器件和栅极驱动电路的线电感用Lg表示时，功率半导体器件的埋电阻用Rgin表示，功率半导体器件的输入电容用Cies表示，功率半导体开关器件的导通电阻用Rgon表示，导通电阻满足以下条件：
3.根据权利要求1所述的功率器件驱动电路，其特征在于，其电容器与功率半导体开关器件的栅极电阻并联设置，作为实现高速驱动的手段。
4.根据权利要求1所述的功率器件驱动电路，其特征在于，所述具有小反向恢复电流的续流二极管包括宽禁带半导体的肖特基势垒二极管。
5.根据权利要求1所述的功率器件驱动电路，其特征在于，所述具有小反向恢复电流的续流二极管包括宽禁带半导体的PiN二极管。
6.根据权利要求4或者5中所述的功率器件驱动电路，其特征在于，所述宽禁带半导体包括：SiC和GaN。
7.一种功率器件逆变电路，其特征在于，其包括功率半导体开关器件、具有小反向恢复电流的自转二极管、一种功率半导体模块；所述功率半导体模块具有功率开关器件和自由转动二极管，以及功率半导体开关器件的栅极驱动电路，其中，功率半导体模块的功率半导体开关器件的第一高压侧端子和宽带隙半导体的肖特基势垒二极管的第二高压侧端子独立布置，电感设置在第一高压侧端子和第二高压侧端子之间。
8.根据权利要求7所述的功率器件逆变电路，其特征在于，所述具有小反向恢复电流的续流二极管包括宽禁带半导体的肖特基势垒二极管。
9.根据权利要求7所述的功率器件逆变电路，其特征在于，所述具有小反向恢复电流的续流二极管包括宽禁带半导体的PiN二极管。
10.根据权利要求7所述的功率器件逆变电路，其特征在于，
所述功率半导体模块的栅极驱动速度与具有小反向恢复电流的自转二极管并联。
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H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
