[实用新型]一种桥式IGBT模块

说明书

本实用新型公开了一种桥式IGBT模块，包括陶瓷基板、若干键合线、若干电阻和上桥臂IGBT和下桥臂IGBT，陶瓷基板上设有若干覆铜块，各覆铜块之间由上桥臂IGBT、下桥臂IGBT、电阻及键合线连接并组成桥式IGBT开关电路，其特征在于：所述上桥臂IGBT和下桥臂IGBT均包括并联的若干个IGBT芯片，各IGBT芯片并排安装在陶瓷基板中间，陶瓷基板的前侧布置有交流端连接端子，陶瓷基板的后侧布置有正极连接端子和负极连接端子，交流端连接端子两旁布置有若干信号端子，交流端连接端子、正极连接端子、负极连接端子、各信号端子和各IGBT芯片焊接在覆铜块上；桥式IGBT模块尺寸较小，集成度高，电稳定性高。

技术领域：

本实用新型涉及一种桥式IGBT模块。

背景技术：

在电力半导体模块的发展中，随着集成度的提高、模块体积减小、运行频率增加，使得模块的单位散热面积上的功耗增加，在大电流应用中单芯片电流不能满足系统需求，因此需要采用多芯片并联方案。具有优良的电绝缘性和导热特性的覆铜陶瓷基板，以陶瓷基板作为各种芯片的承载体，通过表面的覆铜层与芯片电路电连接，在相同功率的电力半导体中，陶瓷基板的焊接式模块与普通焊接式模块相比，不仅体积小、重量轻、省部件，并且具有更好的热疲劳稳定性和更高的集成度，因此当前选用陶瓷基板作为功率模块硅芯片的承载体是业内发展方向。但目前市面上所使用的陶瓷基板电力半导体模块，有以下缺点：1、目前使用的陶瓷基板电力半导体模块多是为单一型号的产品所设计，外形尺寸较大；2、各种端子(包括信号端子、正极端子、负极端子与交流端子)与陶瓷基板采用键合线的形式进行连接，在使用过程中就存在键合线松动脱落的风险，使得模块电稳定性差；3、在电路工作中，陶瓷基板承载的电路中容易出现较大的寄生电感。

发明内容：

本实用新型的目的是提供一种桥式IGBT模块，能解决现有技术中桥式 IGBT模块尺寸较大、电稳定性差的问题。

本实用新型的目的是通过下述技术方案予以实现的。

本实用新型的目的是提供一种桥式IGBT模块，包括陶瓷基板、若干键合线、若干电阻和上桥臂IGBT和下桥臂IGBT，陶瓷基板上设有若干覆铜块，各覆铜块之间由上桥臂IGBT、下桥臂IGBT、电阻及键合线连接并组成桥式IGBT开关电路，其特征在于：所述上桥臂IGBT和下桥臂IGBT均包括并联的若干个IGBT芯片，各IGBT芯片并排安装在陶瓷基板中间，陶瓷基板的前侧布置有交流端连接端子，陶瓷基板的后侧布置有正极连接端子和负极连接端子，交流端连接端子旁边布置有若干信号端子，信号端子与桥式 IGBT开关电路连接，交流端连接端子、正极连接端子、负极连接端子、各信号端子和各IGBT芯片焊接在覆铜块上。

上述所述覆铜块包括大面积覆铜的交流端覆铜块、正极覆铜块和负极覆铜块，正极连接端子与上桥臂IGBT焊接在正极覆铜块上，上桥臂IGBT的发射极通过键合线与交流端覆铜块电连接，交流端连接端子与下桥臂IGBT焊接在交流端覆铜块上，下桥臂IGBT的发射极通过键合线与负极覆铜块电连接，负极连接端子焊接在负极覆铜块上。

上述所述覆铜块还包括上桥臂控制覆铜块、下桥臂控制覆铜块和若干栅极覆铜块，各IGBT芯片附近均布置有一个栅极覆铜块，各IGBT芯片的栅极通过键合线与对应的栅极覆铜块电连接，上桥臂控制覆铜块和下桥臂控制覆铜块分别布置在交流端覆铜块的左右两侧，栅极覆铜块与上桥臂控制覆铜块或下桥臂控制覆铜块之间通过电阻或键合线电连接，上桥臂控制覆铜块和下桥臂控制覆铜块上还焊接有信号端子。

上述还包括高频吸收电容，高频吸收电容的两端分别焊接在正极覆铜块和负极覆铜块上。

上述所述负极覆铜块的边缘设有凹槽，凹槽位于正极连接端子和负极连接端子之间，正极覆铜块的边缘与凹槽对应设置有凸块，高频吸收电容的两端分别焊接在凹槽与凸块上。

上述所述陶瓷基板上安装有温度传感器，温度传感器位于交流端覆铜块旁，信号端子包括与温度传感器电连接的温度检测端子。