[实用新型]一种桥式IGBT模块

权利要求书

1.一种桥式IGBT模块，包括陶瓷基板(9)、若干键合线(8)、若干电阻(7)和上桥臂IGBT(61)和下桥臂IGBT(62)，陶瓷基板(9)上设有若干覆铜块(1)，各覆铜块(1)之间由上桥臂IGBT(61)、下桥臂IGBT(62)、电阻(7)及键合线(8)连接并组成桥式IGBT开关电路，其特征在于：所述上桥臂IGBT(61)和下桥臂IGBT(62)均包括并联的若干个IGBT芯片(60)，各IGBT芯片(60)并排安装在陶瓷基板(9)中间，陶瓷基板(9)的前侧布置有交流端连接端子(51)，陶瓷基板(9)的后侧布置有正极连接端子(52)和负极连接端子(53)，交流端连接端子(51)旁边布置有若干信号端子(4)，信号端子(4)与桥式IGBT开关电路连接，交流端连接端子(51)、正极连接端子(52)、负极连接端子(53)、各信号端子(4)和各IGBT芯片(60)焊接在覆铜块(1)上。

2.根据权利要求1所述的一种桥式IGBT模块，其特征在于：所述覆铜块(1)包括大面积覆铜的交流端覆铜块(11)、正极覆铜块(12)和负极覆铜块(13)，正极连接端子(52)与上桥臂IGBT(61)焊接在正极覆铜块(12)上，上桥臂IGBT(61)的发射极通过键合线(8)与交流端覆铜块(11)电连接，交流端连接端子(51)与下桥臂IGBT(62)焊接在交流端覆铜块(11)上，下桥臂IGBT(62)的发射极通过键合线(8)与负极覆铜块(13)电连接，负极连接端子(53)焊接在负极覆铜块(13)上。

3.根据权利要求2所述的一种桥式IGBT模块，其特征在于：所述覆铜块(1)还包括上桥臂控制覆铜块(14)、下桥臂控制覆铜块(15)和若干栅极覆铜块(16)，各IGBT芯片(60)附近均布置有一个栅极覆铜块(16)，各IGBT芯片(60)的栅极(601)通过键合线(8)与对应的栅极覆铜块(16)电连接，上桥臂控制覆铜块(14)和下桥臂控制覆铜块(15)分别布置在交流端覆铜块(11)的左右两侧，栅极覆铜块(16)与上桥臂控制覆铜块(14)或下桥臂控制覆铜块(15)之间通过电阻(7)或键合线(8)电连接，上桥臂控制覆铜块(14)和下桥臂控制覆铜块(15)上还焊接有信号端子(4)。

4.根据权利要求2或3所述的一种桥式IGBT模块，其特征在于：还包括高频吸收电容(21)，高频吸收电容(21)的两端分别焊接在正极覆铜块(12)和负极覆铜块(13)上。

5.根据权利要求4所述的一种桥式IGBT模块，其特征在于：所述负极覆铜块(13)的边缘设有凹槽(131)，凹槽(131)位于正极连接端子(52)和负极连接端子(53)之间，正极覆铜块(12)的边缘与凹槽(131)对应设置有凸块(121)，高频吸收电容(21)的两端分别焊接在凹槽(131)与凸块(121)上。

6.根据权利要求5所述的一种桥式IGBT模块，其特征在于：所述陶瓷基板(9)上安装有温度传感器(22)，温度传感器(22)位于交流端覆铜块(11)旁，所述信号端子(4)包括与温度传感器(22)电连接的温度检测端子(41)。

7.根据权利要求1-3中任一项所述的一种桥式IGBT模块，其特征在于：所述电阻(7)为厚膜电阻(71)或可键合电阻(72)。

8.根据权利要求1-3中任一项所述的一种桥式IGBT模块，其特征在于：所述陶瓷基板(9)的形状为方形，陶瓷基板(9)的四个角均设有倒角(91)。

9.根据权利要求8所述的一种桥式IGBT模块，其特征在于：所述倒角(91)上也安装有信号端子(4)。

10.根据权利要求1-3中任一项所述的一种桥式IGBT模块，其特征在于：所述交流端连接端子(51)、正极连接端子(52)、负极连接端子(53)、各信号端子(4)和各IGBT芯片(60)通过超声波焊接在覆铜块(1)上。