[实用新型]一种MOS管缓冲电路、驱动系统及空调器

说明书

本实用新型提供了一种MOS管缓冲电路、驱动系统及空调器，涉及晶体管保护技术领域。该MOS管缓冲电路包括SiC MOS管、第一缓冲模块以及第二缓冲模块，第一缓冲模块、第二缓冲模块均分别与MOS管的源极、漏极电连接，MOS管的源极接地，其中，第一缓冲模块与第二缓冲模块用于在MOS管关断瞬间蓄能，以降低MOS管的关断浪涌电压，第一缓冲模块还用于在MOS管导通时进行滤波。本实用新型提供了一种MOS管缓冲电路、驱动系统及空调器具有能够有效降低MOS管的关断浪涌电压，保护了MOS管，同时使电路更加稳定的优点。

技术领域

本实用新型涉及晶体管保护技术领域，具体而言，涉及一种MOS管缓冲电路、驱动系统及空调器。

背景技术

目前空调上，PFC(Power Factor Correction，功率因数校正)电路使用Si IGBT作为开关管，但随着新材料SiC器件的发展，SiC MOSFET的应用已较为常见。SiC MOSFET与SiIGBT相比，前者具有的高耐压、低阻抗、高频性、低损耗、耐高温等特性，明显优于Si IGBT，因此SiC MOSFET代替Si IGBT，在空调上应用将成为未来的趋势。

一般地，SiC MOSFET的开关频率可以在60K以上，此时，由于SiC MOSFET器件的开关速度快、电流又比较大，主电路及驱动电路中存在杂散电感，产生很大的浪涌电压，严重的话，有可能超过额定电压而损坏器件，而过电压产生的主要因素是关断浪涌电压。

综上所述，现有技术中存在SiC MOSFET的关断浪涌电压较高的问题。

实用新型内容

本实用新型解决的问题是SiC MOSFET的关断浪涌电压较高。

为解决上述问题，一方面，本实用新型提供了一种MOS管缓冲电路，所述MOS管缓冲电路包括SiC MOS管、第一缓冲模块以及第二缓冲模块，所述第一缓冲模块、所述第二缓冲模块均分别与所述MOS管的源极、漏极电连接，所述MOS管的源极接地；其中，所述第一缓冲模块与所述第二缓冲模块用于在所述MOS管关断瞬间蓄能，以降低所述MOS管的关断浪涌电压；

所述第一缓冲模块还用于在所述MOS管导通时进行滤波。

由于本申请提供的MOS管缓冲电路设置有第一缓冲模块与第二缓冲模块，因此，在MOS管关断时，能够通过第一缓冲模块与第二缓冲模块进行蓄能。由于在关断瞬间，MOS管的关断浪涌电压一部分被第一缓冲模块与第二缓冲模块吸收，因此能够有效降低MOS管的关断浪涌电压，保护了MOS管。同时，第一缓冲模块还能够在MOS管导通时滤波，因此其还能够起到使电路更加稳定的作用。

进一步地，所述第一缓冲模块与所述第二缓冲模块中均包括电容，且所述第一缓冲模块内的电容容值小于所述第二缓冲模块内的电容容值。

通过该设置方式，能够使得在MOS管关断时，主要通过第二缓冲模块进行电压缓冲，而第一缓冲模块主要用于滤波。

进一步地，所述第一缓冲模块包括第一电容与第一电阻，所述第一电容与所述第一电阻串联后的一端与所述MOS管的源极电连接，另一端与所述MOS管的漏极电连接。

进一步地，所述第一缓冲模块还包括缓冲二极管，所述缓冲二极管与所述第一电阻并联，且所述缓冲二极管的阳极与所述MOS管的漏极电连接，所述缓冲二极管的阴极与所述第一电容电连接。

通过设置缓冲二极管，使得在MOS管关断瞬间，第一缓冲模块进行蓄能时，主要通过缓冲二极管与第一电容的回路进行蓄能，进而可以更快的实现蓄能。

进一步地，所述第二缓冲模块包括第二电容，所述第二电容的一端与所述MOS管的源极电连接，所述电容的另一端与所述MOS管的漏极电连接。