[实用新型]一种MOS管缓冲电路、驱动系统及空调器有效

专利信息
申请号: 202021026680.1 申请日: 2020-06-05
公开(公告)号: CN211930608U 公开(公告)日: 2020-11-13
发明(设计)人: 刘军;周鹏宇;游剑波;陈志强;周程建;邹子明 申请(专利权)人: 珠海拓芯科技有限公司;宁波奥克斯电气股份有限公司
主分类号: H03K17/08 分类号: H03K17/08
代理公司: 北京超成律师事务所 11646 代理人: 孔默
地址: 519080 广东省珠海市唐*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 mos 缓冲 电路 驱动 系统 空调器
【权利要求书】:

1.一种MOS管缓冲电路,其特征在于,所述MOS管缓冲电路(100)包括SiC MOS管(110)、第一缓冲模块(120)以及第二缓冲模块(130),所述第一缓冲模块(120)、所述第二缓冲模块(130)均分别与所述MOS管(110)的源极、漏极电连接,所述MOS管(110)的源极接地;其中,

所述第一缓冲模块(120)与所述第二缓冲模块(130)用于在所述MOS管(110)关断瞬间蓄能,以降低所述MOS管(110)的关断浪涌电压;

所述第一缓冲模块(120)还用于在所述MOS管(110)导通时进行滤波。

2.根据权利要求1所述的MOS管缓冲电路,其特征在于,所述第一缓冲模块(120)与所述第二缓冲模块(130)中均包括电容,且所述第一缓冲模块(120)内的电容容值小于所述第二缓冲模块(130)内的电容容值。

3.根据权利要求1所述的MOS管缓冲电路,其特征在于,所述第一缓冲模块(120)包括第一电容(C1)与第一电阻(R1),所述第一电容(C1)与所述第一电阻(R1)串联后的一端与所述MOS管(110)的源极电连接,另一端与所述MOS管(110)的漏极电连接。

4.根据权利要求3所述的MOS管缓冲电路,其特征在于,所述第一缓冲模块(120)还包括缓冲二极管(D1),所述缓冲二极管(D1)与所述第一电阻(R1)并联,且所述缓冲二极管(D1)的阳极与所述MOS管(110)的漏极电连接,所述缓冲二极管(D1)的阴极与所述第一电容(C1)电连接。

5.根据权利要求1所述的MOS管缓冲电路,其特征在于,所述第二缓冲模块(130)包括第二电容(C2),所述第二电容(C2)的一端与所述MOS管(110)的源极电连接,所述电容的另一端与所述MOS管(110)的漏极电连接。

6.一种MOS管驱动系统,其特征在于,所述MOS管驱动系统包括驱动电路(210)、栅极保护电路(220)以及如权利要求1至5任意一项所述的MOS管缓冲电路(100),所述驱动电路(210)与所述MOS管(110)的栅极电连接,所述栅极保护电路(220)分别与所述MOS管(110)的栅极与源极电连接。

7.根据权利要求6所述的MOS管驱动系统,其特征在于,所述栅极保护电路(220)包括防振荡电容,所述防振荡电容的一端与所述MOS管(110)的栅极电连接,另一端与所述MOS管(110)的源极电连接。

8.根据权利要求6所述的MOS管驱动系统,其特征在于,所述栅极保护电路(220)还包括稳压管,所述稳压管的阳极与所述MOS管(110)的源极电连接,所述稳压管的阴极与所述MOS管(110)的栅极电连接。

9.根据权利要求6所述的MOS管驱动系统,其特征在于,所述栅极保护电路(220)还包括第二电阻,所述第二电阻的一端与所述MOS管(110)的源极电连接,另一端与所述MOS管(110)的栅极电连接。

10.一种空调器,其特征在于,所述空调器包括如权利要求6-9任意一项所述的MOS管驱动系统。

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