[实用新型]微波芯片共晶焊接平台有效
申请号: | 202021014465.X | 申请日: | 2020-06-05 |
公开(公告)号: | CN211788921U | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 王伟强;汪蔚;魏泽超;刘健;李旭浩 | 申请(专利权)人: | 河北美泰电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
代理公司: | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人: | 王朝 |
地址: | 067000 河北省石家*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微波 芯片 焊接 平台 | ||
1.微波芯片共晶焊接平台,其特征在于,包括:
壳体,顶端开放;
加热平台,设于所述壳体的内部,用于与外部电源电连接;
工作平台,设于所述壳体的内部,且底面与所述加热平台的顶面贴合;所述工作平台的顶面设有多个工作区域,多个所述工作区域分别用于贴放不同尺寸的金属载体;
其中,多个所述工作区域内分别设有用于与真空泵管路连通的真空吸附孔,所述真空吸附孔用于吸附所述金属载体,且各个所述工作区域内的所述真空吸附孔的孔径与所述金属载体的贴放面尺寸成正比。
2.如权利要求1所述的微波芯片共晶焊接平台,其特征在于:每个所述工作区域内均间隔设有多个所述真空吸附孔,在所述金属载体贴放于该所述工作区域时,至少两个相邻的所述真空吸附孔位于所述金属载体的下方。
3.如权利要求1所述的微波芯片共晶焊接平台,其特征在于:所述工作平台的内部设有多个通气孔,多个所述通气孔与多个所述工作区域一一对应,多个所述通气孔分别用于连通所述真空泵管路,所述真空吸附孔由所述工作平台的顶面向下延伸,且与相应的所述通气孔连通。
4.如权利要求3所述的微波芯片共晶焊接平台,其特征在于:所述通气孔由所述工作平台的侧壁沿所述工作平台的径向延伸,且多个所述通气孔相互连通,其中一个所述通气孔用于连接所述真空泵管路,其余所述通气孔的口部分别设有堵头。
5.如权利要求1所述的微波芯片共晶焊接平台,其特征在于:所述壳体的侧壁穿设有多个氮气管,多个所述氮气管的出气端分别穿入所述壳体内部向斜下方延伸,且分别对准各个所述工作区域,多个所述氮气管分别用于连接氮气气源。
6.如权利要求5所述的微波芯片共晶焊接平台,其特征在于:所述壳体的顶端内壁设有氮气挡环。
7.如权利要求1-6任一项所述的微波芯片共晶焊接平台,其特征在于:所述工作平台的顶面盖设有封板,在所述金属载体贴放于与其尺寸相应的所述工作区域进行作业时,所述封板用于封堵其余所述工作区域的所述真空吸附孔。
8.如权利要求7所述的微波芯片共晶焊接平台,其特征在于:所述工作平台的顶面设有竖直向上延伸的固定轴,多个所述工作区域沿所述固定轴的周向间隔分布,所述封板为半圆形或圆心角大于180°的扇形,且所述封板与所述固定轴转动连接。
9.如权利要求8所述的微波芯片共晶焊接平台,其特征在于:所述固定轴的延伸端螺纹连接有旋母,所述固定轴上套设有弹簧,所述弹簧的一端与所述封板的顶面抵接,另一端与所述旋母的底面抵接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造