[实用新型]自举升压驱动电路

说明书

一种自举升压驱动电路，包括输入端、输出端、第一至第三MOS管反相器、电容Cb、PMOS管M7和PNP三极管。输入端分别连接于NMOS管M1与PMOS管M2的栅极的共接点、NMOS管M3与PMOS管M4的栅极的共接点及NMOS管M5与PMOS管M6的栅极的共接点。M2、M7的源极连接于电压VDD，M1与M2的漏极的共接点连接于电容Cb的一端，M4和M6的源极、M7的漏极以及PNP三极管的发射极均连接于电容Cb的另一端；M3与M4的漏极的共接点连接于M7的栅极；PMOS管M6的栅极与PNP三极管的基极连接；M1和M3的源极、M5的漏极与M6的漏极的共接点以及PNP三极管的集电极均连接于输出端。本实用新型结构简单，输出电流大。

技术领域

本实用新型涉及自举升压电路。

背景技术

自举升压电路是利用电容等电子元件使电容放电电压和电源电压叠加从而使输出电压升高的电路。现有的自举升压电路大多结构较为复杂，而且输出电流较小，不能适用于对升压型DC-DC转换器的功率管的驱动。

发明内容

本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种结构简单、输出电流大的自举升压驱动电路。

本实用新型实施例提供了一种自举升压驱动电路，包括输入端In、输出端Out、第一MOS管反相器、第二MOS管反相器、第三MOS管反相器、电容Cb、PMOS管M7和PNP三极管Q1；第一MOS管反相器包括NMOS管M1和PMOS管M2，NMOS管M1的栅极与PMOS管M2的栅极连接，NMOS管M1的漏极与PMOS管M2的漏极连接；第二MOS管反相器包括NMOS管M3和PMOS管M4，NMOS管M3的栅极与PMOS管M4的栅极连接，NMOS管M3的漏极与PMOS管M4的漏极连接；第三MOS管反相器包括NMOS管M5和PMOS管M6，NMOS管M5的栅极与PMOS管M6的栅极连接，NMOS管M5的漏极与PMOS管M6的漏极连接；输入端In分别连接于NMOS管M1的栅极与PMOS管M2的栅极的共接点、NMOS管M3的栅极与PMOS管M4的栅极的共接点以及NMOS管M5的栅极与PMOS管M6的栅极的共接点；PMOS管M2的源极与PMOS管M7的源极均连接于电压VDD，NMOS管M1的漏极与PMOS管M2的漏极的共接点连接于电容Cb的一端，PMOS管M4的源极、PMOS管M6的源极、PMOS管M7的漏极以及PNP三极管Q1的发射极均连接于电容Cb的另一端； NMOS管M3的漏极与PMOS管M4的漏极的共接点连接于PMOS管M7的栅极；PMOS管M6的栅极与PNP三极管Q1的基极连接，NMOS管M5的源极接地； NMOS管M1的源极、NMOS管M3的源极、NMOS管M5的漏极与PMOS管M6的漏极的共接点以及PNP三极管Q1的集电极均连接于输出端Out。

本实用新型至少具有以下优点：

1、本实用新型实施例的自举升压驱动电路主要由MOS管反相器、NMOS管、PNP三极管和电容组成，元器件数量少，结构简单，成本低；

2、PNP三极管Q1作为上拉驱动管，可以增加自举升压驱动电路的输出电流，适用于对升压型DC-DC转换器的功率管的驱动。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1示出了根据本实用新型一实施例的一种自举升压驱动电路的电路原理图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型进行详细说明。