[实用新型]自举升压驱动电路有效

专利信息
申请号: 202020984194.4 申请日: 2020-06-02
公开(公告)号: CN212063838U 公开(公告)日: 2020-12-01
发明(设计)人: 李唯为 申请(专利权)人: 浙江科博达工业有限公司;科博达技术股份有限公司
主分类号: H02M3/158 分类号: H02M3/158
代理公司: 上海华祺知识产权代理事务所(普通合伙) 31247 代理人: 刘卫宇
地址: 314003 浙江省嘉兴*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 升压 驱动 电路
【权利要求书】:

1.一种自举升压驱动电路,其特征在于,包括输入端In、输出端Out、第一MOS管反相器、第二MOS管反相器、第三MOS管反相器、电容Cb、PMOS管M7和PNP三极管Q1;

所述第一MOS管反相器包括NMOS管M1和PMOS管M2,NMOS管M1的栅极与PMOS管M2的栅极连接,NMOS管M1的漏极与PMOS管M2的漏极连接;所述第二MOS管反相器包括NMOS管M3和PMOS管M4,NMOS管M3的栅极与PMOS管M4的栅极连接,NMOS管M3的漏极与PMOS管M4的漏极连接;所述第三MOS管反相器包括NMOS管M5和PMOS管M6,NMOS管M5的栅极与PMOS管M6的栅极连接,NMOS管M5的漏极与PMOS管M6的漏极连接;

输入端In分别连接于NMOS管M1的栅极与PMOS管M2的栅极的共接点、NMOS管M3的栅极与PMOS管M4的栅极的共接点以及NMOS管M5的栅极与PMOS管M6的栅极的共接点;

PMOS管M2的源极与PMOS管M7的源极均连接于电压VDD,NMOS管M1的漏极与PMOS管M2的漏极的共接点连接于电容Cb的一端,PMOS管M4的源极、PMOS管M6的源极、PMOS管M7的漏极以及PNP三极管Q1的发射极均连接于电容Cb的另一端; NMOS管M3的漏极与PMOS管M4的漏极的共接点连接于PMOS管M7的栅极;PMOS管M6的栅极与PNP三极管Q1的基极连接,NMOS管M5的源极接地;

NMOS管M1的源极、NMOS管M3的源极、NMOS管M5的漏极与PMOS管M6的漏极的共接点以及PNP三极管Q1的集电极均连接于输出端Out。

2.根据权利要求1所述的一种自举升压驱动电路,其特征在于,所述自举升压驱动电路包括电容Cf,电容Cf的一端连接于NMOS管M1的源极与NMOS管M3的源极的共接点,电容Cf的另一端、NMOS管M5的漏极与PMOS管M6的漏极的共接点以及PNP三极管Q1的集电极均连接于输出端Out。

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