[实用新型]在晶圆的正面上沉积外延层的装置

说明书

本实用新型提供用于在具有取向切口的晶圆的正面上沉积外延层的装置，其包括用于保持和旋转具有基座支撑轴和基座支撑臂的基座的机构；和由所述基座支撑臂保持并具有向内指向的突起部的环；和包括基座环的基座，所述基座环具有用于在所述晶圆的背面的边缘区域中搁置所述晶圆的支撑面和与所述支撑面相邻的所述基座环的阶式外边界，所述支撑面具有向内指向的突起部。

技术领域

本实用新型的主题是一种用于在由单晶材料构成的晶圆的正面上沉积外延层的装置。

背景技术

通常在CVD反应器中，通常在单晶圆反应器中，通过CVD(化学气相沉积)在晶圆的正面上进行外延层的沉积。例如在US 2014/0 251 208 A1中描述了这种CVD反应器。由单晶圆反应器在上部和下部圆顶之间提供反应空间，在该反应空间中，基座通过基座支撑销上的基座支撑轴的基座支撑臂被保持。基座和放置在顶部的晶圆通过设置在圆顶上方和下方的灯阵列的热辐射而被加热，同时沉积气体被引导穿过晶圆的面向上部圆顶的正面。

US 2008/0118712 A1描述了一种基座，其包括基座环和基座底。该基座环具有用于搁置晶圆背面的边缘区域的凸缘。基座环放置在基座底上，以便在晶圆的正面沉积层。

US 2007/0227441 A1涉及在外延涂覆的硅晶圆的边缘区域中厚度的周期性变化。这是由于外延层生长的速率不同。不同的生长速率与晶圆正面的晶体取向有关。晶圆的正面是晶圆上外延层沉积在其上的那一面。为了使边缘区域中的外延层的厚度均匀，US2007/0227441 A1提出了随着厚度的变化周期来改变基座的结构。

为了相同的目标，US 2015/0184314 A1提出限制晶圆的边缘区域的宽度。

该教导没有考虑以下事实：其中提到的厚度变化被认为是有问题的晶圆在边缘区域中设置有取向切口。在正面具有100取向的硅晶圆的情况下，取向切口通常位于外延层相对较快地生长的四个位置之一上并标记四个110晶体方向之一。有时，取向切口也位于距此类位置45°，并标记四个100晶体方向之一。

实用新型内容

本实用新型的目的是改善在边缘区域，特别是在切口区域中具有沉积的外延层的晶圆的平坦度，并且同时减小边缘区域中厚度的周期性变化而无需为此必须改变基座或改变晶圆边缘区域的形状。

本实用新型的目的通过下面描述的装置来实现。

本实用新型提供一种用于在具有取向切口的晶圆的正面上沉积外延层的装置，其包括：用于保持和旋转具有基座支撑轴和基座支撑臂的基座的机构；和由所述基座支撑臂保持并具有向内指向的突起部的环；和包括基座环的基座，所述基座环具有用于在所述晶圆的背面的边缘区域中搁置所述晶圆的支撑面和与所述支撑面相邻的所述基座环的阶式外边界，所述支撑面具有向内指向的突起部。

在附图的描述中阐明了根据本实用新型的实施方案的这些和其他特征。可以单独地或组合地实现各个特征作为本实用新型的实施方案。此外，它们可以描述可独立保护的有利设计。

附图说明

图1示出了具有取向切口102的晶圆101。晶圆101具有100取向。晶圆101的上表面例如是100面。取向切口102标记四个110晶体方向之一，该四个110晶体方向以90°的间隔分布在晶圆的周围，指向晶圆边缘区域中的相应平面，在这些平面上比在四个100晶体方向指向的边缘区域中的平面上，外延层以相对较高的速率生长。

图2与图1一致，示出了具有取向切口202的具有110取向的晶圆201的俯视图。

图3示出了根据本实用新型的装置不仅包括基座301，还包括用于保持和旋转具有基座支撑轴302和基座支撑臂303的基座301的机构。

图4至图6示出了本实用新型的装置的环401的俯视图。