[实用新型]在晶圆的正面上沉积外延层的装置有效
| 申请号： | 202020959180.7 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN213538160U | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | J·哈贝雷希特;S·海因里希;R·绍尔;R·施泰因 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B25/12 | 分类号： | C30B25/12;C23C16/458 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘佳斐 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 面上 沉积 外延 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于在具有取向切口的晶圆的正面上沉积外延层的装置，其特征在于，包括：
用于保持和旋转具有基座支撑轴和基座支撑臂的基座的机构；和
由所述基座支撑臂保持并具有向内指向的突起部的环；和
包括基座环的基座，所述基座环具有用于在所述晶圆的背面的边缘区域中搁置所述晶圆的支撑面和与所述支撑面相邻的所述基座环的阶式外边界，所述支撑面具有向内指向的突起部。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述基座环的与所述支撑面相邻的所述阶式外边界具有向内指向的凸起。
3.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，
所述环的突起部与所述支撑面的突起部位于相同的方位角位置。
4.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，
所述环的突起部与所述阶式边界上的向内指向的凸起位于相同的方位角位置。
5.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述环由石英玻璃构成。
6.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，
所述环的突起部由选择性地降低穿过其的热辐射的强度的材料制成，
结果是，搁置在所述基座上的晶圆的边缘上的第一子区域与相邻第二子区域相比，被更弱地加热，在所述第一子区域中由于单晶材料的取向，在所述晶圆的均匀温度下所述外延层的生长速率更大。
7.根据权利要求1或2所述的装置，其特征在于，所述环具有两个或四个突起部。
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