[实用新型]一种重量可调的锗单晶生长用悬浮坩埚有效
| 申请号： | 202020948505.1 | 申请日： | 2020-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN212451738U | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 柯尊斌;陆海风;秦瑶;王卿伟;陈仕天 | 申请（专利权）人： | 中锗科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B15/20;C30B29/08 |
| 代理公司： | 南京中律知识产权代理事务所(普通合伙) 32341 | 代理人： | 李建芳 |
| 地址： | 211299 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 重量 可调 锗单晶 生长 悬浮 坩埚 | ||
1.一种重量可调的锗单晶生长用悬浮坩埚，其特征在于：包括圆筒形埚壁；圆筒形埚壁内侧底部设有向外凸出的弧形埚底；圆筒形埚壁顶部沿周边均布有两个以上相同深度的配重盲孔；弧形埚底为曲率半径为从周边到中心逐渐增大的结构，弧形埚底上开有进料孔。
2.如权利要求1所述的重量可调的锗单晶生长用悬浮坩埚，其特征在于：圆筒形埚壁的上半部分内壁的粗糙度Ra1大于下半部分内壁的粗糙度Ra2。
3.如权利要求2所述的重量可调的锗单晶生长用悬浮坩埚，其特征在于：粗糙度Ra1的取值范围为11～13μm，粗糙度Ra2的取值范围为1～4μm。
4.如权利要求1-3任意一项所述的重量可调的锗单晶生长用悬浮坩埚，其特征在于：弧形埚底的曲率半径从周边到中心的渐变范围为800～1000mm。
5.如权利要求1-3任意一项所述的重量可调的锗单晶生长用悬浮坩埚，其特征在于：弧形埚底的最大半径为R，进料孔设在距离弧形埚底中心1/3～2/3R处。
6.如权利要求1-3任意一项所述的重量可调的锗单晶生长用悬浮坩埚，其特征在于：所有配重盲孔的形状相同、大小相等。
7.如权利要求1-3任意一项所述的重量可调的锗单晶生长用悬浮坩埚，其特征在于：配重盲孔的轴向与圆筒形埚壁的轴向相互平行。
8.如权利要求1-3任意一项所述的重量可调的锗单晶生长用悬浮坩埚，其特征在于：配重盲孔的横截面为圆形。
9.如权利要求1-3任意一项所述的重量可调的锗单晶生长用悬浮坩埚，其特征在于：配重盲孔有28～32个。
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