[实用新型]一种碳化硅舟有效
申请号: | 202020944319.0 | 申请日: | 2020-05-28 |
公开(公告)号: | CN212182285U | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 姚民利;刘炜;刘飞;王兴龙;皇甫丙臣;赵金 | 申请(专利权)人: | 陕西固勤材料技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673 |
代理公司: | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人: | 孙雅静 |
地址: | 710000 陕西省西*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 碳化硅 | ||
本实用新型公开了一种碳化硅舟,用于承载硅片,包括舟体,所述的舟体包括平行设置的第一侧板和第二侧板,还包括横梁组件,所述的横梁组件连接设置在第一侧板和第二侧板之间,并与第一侧板和第二侧板垂直;所述的横梁组件包括互相平行设置的第一横梁、第二横梁和第三横梁,第一横梁和第二横梁上均设置卡槽件,所述的卡槽件包括第一卡槽和第二卡槽,用于承载硅片;所述的第一横梁位于第二横梁的上方,第一横梁和第二横梁的剖面均为“L”形。本实用新型的碳化硅舟具有易加工的优点,相较于石墨舟,不需要涂层;使用寿命长,横梁组件的设置为L型,具有抗弯强度高和抗蠕变的效果,且不需要二次加工;同时相较于圆形和长方形具有减重,易加工的优点。
技术领域
本实用新型涉及半导体行业技术领域,具体涉及一种碳化硅舟。
背景技术
退火技术在半导体材料加工工艺过程中被广泛使用,其工艺目的在于通过退火工艺,来消除单晶体内的氧对单晶的干扰和在表面产生洁净区的目的。退火工艺使用的是退火炉,其原理是使用电阻线圈围绕着石英管,通电后线圈加热石英管,产生一个恒温区域,当温度达到了工艺要求的温度后,将硅片通过放置在机械臂上的碳化硅舟送入石英管内的恒温区域,退火以达到工艺要求。
目前,石英舟具有优异的光学性能,不仅可见光透光度特别好,而且透紫外线,红外线,但是,其缺点也显而易见,不耐用,1个月便需要更换;成本较高。
实用新型内容
针对现有技术存在的问题,本实用新型的目的是提供一种碳化硅舟,改善现有的石英舟不耐用的问题。
为达到上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
一种碳化硅舟,用于承载硅片,包括舟体,所述的舟体包括平行设置的第一侧板和第二侧板,其特征在于,还包括横梁组件,所述的横梁组件连接设置在第一侧板和第二侧板之间,并与第一侧板和第二侧板垂直;
所述的横梁组件包括互相平行设置的第一横梁、第二横梁和第三横梁,第一横梁和第二横梁上均设置卡槽件,所述的卡槽件包括第一卡槽和第二卡槽,用于承载硅片;
所述的第一横梁位于第二横梁的上方,第一横梁和第二横梁的剖面均为“L”形;
所述的第一横梁包括水平设置的第一板材和垂直地面设置第二板材,所述的第一板材的前端与所述第二板材的上端垂直连接,所述的第一板材的后端设置多个第一卡槽;
所述的第二横梁包括垂直地面设置第三板材和水平设置的第四板材,所述的第三板材的下端与所述第四板材的后端垂直连接,所述的第三板材的上端设置多个第二卡槽;
所述的第一横梁在水平面上设置2个,互为镜像对称设置在第一侧板和第二侧板之间;所述的第二横梁的数量为2个,互为镜像对称设置在第一侧板和第二侧板之间;
所述第一卡槽与第二卡槽共同用于承载硅片,硅片的侧壁插在第一卡槽内,硅片的底部插在第二卡槽内;
所述的第三横梁包括水平设置的第五板材和垂直地面设置第六板材,所述的第五板材的前端与所述第六板材的上端垂直连接,所述的第五板材与所述第四板材在同一水平面内,用于支撑限位硅片,所述的第三横梁数量为2个与第一横梁的设置方式相同。
进一步的,所述的2个第一横梁的之间的距离为55~65mm。
进一步的,所述的2个第二横梁的之间的距离为35~45mm。
进一步的,所述的第一横梁高于第二横梁55~65mm。
进一步的,所述的第一卡槽与第二卡槽一一对应,共同承载同一个硅片;
所述的第一卡槽的顶部延长线为直角形或圆弧形,所述的第二卡槽与第一卡槽的形状相同。
进一步的,所述的第一侧板和第二侧板靠下方设有2个舟脚。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造