[实用新型]一种优化T拓扑DDR模块信号质量的PCB结构

说明书

本实用新型涉及一种优化T拓扑DDR模块信号质量的PCB结构，包括若干个T拓扑分支走线，相邻两个所述T拓扑分支走线通过颗粒分支走线连接，其特征在于，所述T拓扑分支走线包括表层分支走线和底层分支走线，所述表层分支走线与所述底层分支走线通过T拓扑过孔对接，所述T拓扑过孔均位于DDR颗粒的优化区域内,且所述T拓扑分支走线的阻抗大于所述颗粒分支走线的阻抗。本实用新型通过优化T拓扑过孔和提高T拓扑分支走线的阻抗，实现了在不增加其他器件前提下，优化了信号质量；进一步的，T拓扑分支走线线宽变细，提高了PCB板的空间利用率。

技术领域

本实用新型涉及电路板领域，具体的说，是涉及一种优化T拓扑DDR模块信号质量的PCB结构。

背景技术

印制电路板又称PCB板，是电子产品的物理支撑以及信号传输的重要组成部分，PCB板中的走线用于连接不同芯片的引脚，在应用比较广泛的DDR（Double Data Rate）颗粒中，由于PCB板的空间限制，在PCB板上有多个颗粒负载时，我们常会将DDR颗粒表底对贴来节省宝贵的空间。常见的有两种不同的拓扑连接结构，即菊花链拓扑结构和等臂分支组合菊花链拓扑结构，其中等臂分支也称为T拓扑分支。

比如常见的在PCB板上设计一拖九（即一个主芯片带九个DDR颗粒）拓扑结构中，如图2所示，常使用T拓扑组合菊花链拓扑结构进行走线，而且为了提高信号质量，还会使用一个电阻进行端接，电路连接示意图如图1所示，包括主干走线L1，颗粒分支走线L2和L3，T拓扑分支走线L4和L5以及端接走线L6，一般T拓扑分支走线的阻抗值等于颗粒分支走线的阻抗值，均为50Ω，T拓扑分支走线的线宽为4mil。

在上述的传统T拓扑链路设计中，由于受到控制器的驱动不同，以及设计和加工等因素的影响，有时链路中信号质量裕量不足，那么如何在不增加其他器件前提下，优化该T拓扑链路的信号质量，成为业界急需解决的问题。

以上问题，值得解决。

发明内容

为了克服现有的技术的不足，本实用新型提供一种优化T拓扑DDR模块信号质量的PCB结构。

本实用新型技术方案如下所述：

一种优化T拓扑DDR模块信号质量的PCB结构，包括若干个T拓扑分支走线，相邻两个所述T拓扑分支走线通过颗粒分支走线连接，其特征在于，所述T拓扑分支走线包括表层分支走线和底层分支走线，所述表层分支走线与所述底层分支走线通过T拓扑过孔对接，所述T拓扑过孔均位于DDR颗粒的优化区域内,且所述T拓扑分支走线的阻抗大于所述颗粒分支走线的阻抗。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述颗粒分支走线的阻抗为50Ω，所述T拓扑分支走线的阻抗为55Ω。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述T拓扑分支走线的线宽为3.5mil。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，第一个所述T拓扑分支走线通过主干走线连接主芯片。

进一步的，所述主干走线的阻抗为40Ω。

进一步的，末端所述颗粒分支走线连接端接电阻和端接电压，所述端接电阻为39Ω，所述端接电压为DDR颗粒供电电压的二分之一。

优选的，所述端接电压为0.6V。

根据上述方案的本实用新型，其特征在于，所述T拓扑过孔的孔径为8mil，所述T拓扑过孔的焊盘直径为16mil。

根据上述方案的本实用新型，其有益效果在于：

本实用新型通过优化T拓扑过孔和提高T拓扑分支走线的阻抗，解决了信号裕量不足的问题，实现了在不增加其他器件前提下，优化了信号质量；进一步的，T拓扑分支走线线宽变细，提高了PCB板的空间利用率。

附图说明