[实用新型]一种优化T拓扑DDR模块信号质量的PCB结构有效
| 申请号： | 202020929111.1 | 申请日： | 2020-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN212163817U | 公开（公告）日： | 2020-12-15 |
| 发明（设计）人： | 肖勇超;吴均 | 申请（专利权）人： | 深圳市一博科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/02 | 分类号： | H05K1/02 |
| 代理公司： | 深圳市远航专利商标事务所(普通合伙) 44276 | 代理人： | 田志远;袁浩华 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区科*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 优化 拓扑 ddr 模块 信号 质量 pcb 结构 | ||
1.一种优化T拓扑DDR模块信号质量的PCB结构，包括若干个T拓扑分支走线，相邻两个所述T拓扑分支走线通过颗粒分支走线连接，其特征在于，所述T拓扑分支走线包括表层分支走线和底层分支走线，所述表层分支走线与所述底层分支走线通过T拓扑过孔对接，所述T拓扑过孔均位于DDR颗粒的优化区域内,且所述T拓扑分支走线的阻抗大于所述颗粒分支走线的阻抗。
2.根据权利要求1所述的优化T拓扑DDR模块信号质量的PCB结构，其特征在于，所述颗粒分支走线的阻抗为50Ω，所述T拓扑分支走线的阻抗为55Ω。
3.根据权利要求1所述的优化T拓扑DDR模块信号质量的PCB结构，其特征在于，所述T拓扑分支走线的线宽为3.5mil。
4.根据权利要求1所述的优化T拓扑DDR模块信号质量的PCB结构，其特征在于，所述T拓扑过孔的孔径为8mil，所述T拓扑过孔的焊盘直径为16mil。
5.根据权利要求1所述的优化T拓扑DDR模块信号质量的PCB结构，其特征在于，第一个所述T拓扑分支走线通过主干走线连接主芯片。
6.根据权利要求5所述的优化T拓扑DDR模块信号质量的PCB结构，其特征在于，所述主干走线的阻抗为40Ω。
7.根据权利要求1所述的优化T拓扑DDR模块信号质量的PCB结构，其特征在于，末端所述颗粒分支走线连接端接电阻和端接电压，所述端接电阻为39Ω，所述端接电压为DDR颗粒供电电压的二分之一。
8.根据权利要求7所述的优化T拓扑DDR模块信号质量的PCB结构，其特征在于，所述端接电压为0.6V。
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