[实用新型]耐高压功率二极管器件有效

专利信息
申请号: 202020886235.6 申请日: 2020-05-25
公开(公告)号: CN211858642U 公开(公告)日: 2020-11-03
发明(设计)人: 廖兵;沈礼福 申请(专利权)人: 苏州达晶微电子有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L23/367;H01L23/31;H01L25/11
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 王健
地址: 215163 江苏省苏州市高*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 高压 功率 二极管 器件
【权利要求书】:

1.一种耐高压功率二极管器件,其特征在于:包括2个二极管芯片(1)、金属基座(2)和引线架(3),一环氧封装层(4)包覆于2个二极管芯片(1)、金属基座(2)和引线架(3)上,所述金属基座(2)的上表面具有2个支撑部(21),所述2个二极管芯片(1)位于金属基座(2)正上方并且其各自同极性一端分别通过焊锡层(5)与金属基座(2)的2个支撑部(21)电连接,位于金属基座(2)下端的第一引脚部(22)从环氧封装层(4)内延伸出;

所述引线架(3)进一步包括横金属板(6)和分别位于横金属板(6)两端的第一竖金属板(7)和第二竖金属板(8),所述横金属板(6)的中央具有2个向下外凸的焊接凸起块(61),所述引线架(3)的横金属板(6)位于二极管芯片(1)的正上方且其2个焊接凸起块(61)分别通过焊锡层(5)与2个二极管芯片(1)各自同极性另一端电连接,所述第一竖金属板(7)和第二竖金属板(8)各自与横金属板(6)相背的一端为第二引脚部(9),此第二引脚部(9)从环氧封装层(4)内延伸出;

所述环氧封装层(4)的下表面且位于2个所述第二引脚部(9)左右侧均开有至少一个第一凹槽(10),所述环氧封装层(4)的下表面且位于第一引脚部(22)前后侧均开有至少一个第二凹槽(11)。

2.根据权利要求1所述的耐高压功率二极管器件,其特征在于:位于所述引线架(3)上横金属板(6)的焊接凸起块(61)与二极管芯片(1)的正极电连接,所述引线架(3)的第二引脚部(9)作为正极输入端。

3.根据权利要求1所述的耐高压功率二极管器件,其特征在于:所述金属基座(2)的支撑部(21)与二极管芯片(1)负极电连接,所述金属基座(2)的第一引脚部(22)作为负极输入端。

4.根据权利要求1所述的耐高压功率二极管器件,其特征在于:所述环氧封装层(4)的下表面且位于第一引脚部(22)前后侧均开有2个第二凹槽(11)。

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