[实用新型]一种TVS保护器件有效
| 申请号： | 202020852306.0 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN212571004U | 公开（公告）日： | 2021-02-19 |
| 发明（设计）人： | 范炜盛;单少杰;魏峰;王帅;张英鹏;赵鹏;范婷;郑彩霞 | 申请（专利权）人： | 上海维安半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/861;H01L27/07 |
| 代理公司： | 上海东亚专利商标代理有限公司 31208 | 代理人： | 董梅 |
| 地址： | 201202 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 tvs 保护 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种TVS保护器件，包含P型衬底、氧化层、N型掺杂区、金属电极，其特征在于，在所述的N型掺杂区内引入空隙，使其形成多个规律排布的PN结，使增加的PN结侧面面积远大于减少的N型掺杂区的底面面积。
2.根据权利要求1所述的一种TVS保护器件，其特征在于：所述器件上、下表面均掺杂，且上下两面的N型掺杂区内的空隙形状对称，使形成的上下表面的各PN结对称，构成双向TVS器件。
3.根据权利要求1或2所述的一种TVS保护器件，其特征在于：所述的空隙上方留有氧化层，避免金属电极与P型衬底接触，同时，金属电极直接与掺杂区域接触。
4.根据权利要求3所述的一种TVS保护器件，其特征在于：在P型衬底的N型掺杂区内空隙形状为同心矩形环，各个矩形环之间的间距相同。
5.根据权利要求1或2所述的一种TVS保护器件，其特征在于：所述的P型衬底电阻率为0.046Ω·cm。
6.根据权利要求1或2所述的一种TVS保护器件，其特征在于：PN结的结深为25μm，该深结区电压20V。
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