[实用新型]密集阵列式抗衰减LED引线框架有效

专利信息
申请号: 202020850449.8 申请日: 2020-05-20
公开(公告)号: CN212182358U 公开(公告)日: 2020-12-18
发明(设计)人: 康小明;康亮;马文龙 申请(专利权)人: 天水华洋电子科技股份有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 代理人: 许志辉
地址: 741020 *** 国省代码: 甘肃;62
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摘要:
搜索关键词: 密集 阵列 衰减 led 引线 框架
【说明书】:

实用新型公开了一种密集阵列式抗衰减LED引线框架,涉及LED芯片引线框架技术领域,该LED引线框架包括呈密集矩阵排列的方形支架框,支架框内通过支撑脚支撑有不接触的正极载板与负极载板,正极载板与负极载板上分别蚀刻有U型槽,正极载板上的U型槽开口与负极载板上的U型槽开口相对,负极载板上在U型槽围成的区域内设有凹坑式芯片安装区,芯片安装区内粘装有芯片。本实用新型的LED芯片封装引线框架导电能力强、耐腐蚀、可靠性高,有利于密集排列的引线框架的加工,并增强LED芯片结构稳定性,有助于芯片散热,抵抗光衰减。

技术领域

本实用新型涉及新型高亮度LED节能照明领域,尤其涉及LED芯片引线框架技术领域,具体为一种密集阵列式抗衰减LED芯片封装引线框架。

背景技术

引线框架作为集成电路的芯片载体,是一种借助于键合材料实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关键结构件,它起到了和外部导线连接的桥梁作用,绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架,是电子信息产业中重要的基础材料。

目前市场上的LED光源多为衰减性明流光源,使用一段时期后出现不同程度光衰减,使用寿命也会大大降低,而LED光衰减主要受芯片的散热状况及芯片内部结构的影响,目前的高亮度LED芯片在结构上不合理致其散热性差并产生光衰减。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是上述现有技术中高亮度LED芯片存在的结构上不合理致其散热性差并产生光衰减的缺陷或不足,提供一种密集阵列式抗衰减LED引线框架。

本实用新型为了解决上述技术问题采用以下技术方案予以实现:

密集阵列式抗衰减LED引线框架,包括呈密集矩阵排列的方形支架框,支架框内支撑有正极载板与负极载板,正极载板与负极载板之间设有使正极载板与负极载板不接触的隔缝,正极载板与负极载板分别通过LED芯片支撑脚与支架框连接,正极载板与负极载板上分别蚀刻有U型槽,分别形成正极载板U型槽、负极载板U型槽,正极载板U型槽开口与负极载板 U型槽开口相对,负极载板U型槽围成的区域内设有芯片安装区,芯片安装区内粘装有芯片。

优选的,上述密集阵列式抗衰减LED引线框架中,正极载板U型槽、负极载板U型槽的转角处均为圆弧过渡。

优选的,上述密集阵列式抗衰减LED引线框架中,正极载板U型槽、负极载板U型槽深度分别大于或等于正极载板及负极载板厚度的一半。

优选的,上述密集阵列式抗衰减LED引线框架中,负极载板上的芯片安装区为化学蚀刻而成的凹坑,芯片粘装在凹坑内。

优选的,所述支架框、正极载板、负极载板、支撑脚材料均采用镍锡铜合金材料。

与现有技术相比,本实用新型的有益技术效果:本实用新型的LED引线框架导电能力强、耐腐蚀、可靠性高,半蚀刻的U型导注槽有效增加了抗塑封料热熔冲击的强度,并提高了LED 芯片封装过程中引线框架的密集排列程度,开口相对的U型槽更有利于封装后的芯片承受来自侧面各个方向的力,U型槽转角处的圆弧过渡增强了塑封料的稳定性,使引线框架不致因冲击位移或变形及封装后塑封料与两极载板及支撑脚接触不够严密而产生松动,增强LED芯片结构稳定性,有助于芯片散热,抵抗光衰减。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图;

图2为图1中M处的局部放大视图。

图中标记:1-支架框,2-正极载板,3-负极载板,4-正极载板U型槽,5-负极载板U型槽,6-芯片安装区,7-支撑脚,8-芯片。

具体实施方式

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型,并不用于限定本实用新型。

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