[实用新型]密集阵列式抗衰减LED引线框架有效
| 申请号： | 202020850449.8 | 申请日： | 2020-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN212182358U | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 康小明;康亮;马文龙 | 申请（专利权）人： | 天水华洋电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 许志辉 |
| 地址： | 741020 *** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 密集 阵列 衰减 led 引线 框架 | ||
【权利要求书】：
1.密集阵列式抗衰减LED引线框架，包括呈密集矩阵排列的方形支架框，支架框内支撑有正极载板与负极载板，其特征在于，正极载板与负极载板之间设有使正极载板与负极载板不接触的隔缝，正极载板与负极载板分别通过LED芯片支撑脚与支架框连接，正极载板与负极载板上分别蚀刻有正极载板U型槽、负极载板U型槽，正极载板U型槽开口与负极载板U型槽开口相对，负极载板U型槽围成的区域内设有芯片安装区，芯片安装区内粘装有芯片。
2.根据权利要求1所述的密集阵列式抗衰减LED引线框架，其特征在于：所述正极载板U型槽及负极载板U型槽的转角处均为圆弧过渡。
3.根据权利要求1所述的密集阵列式抗衰减LED引线框架，其特征在于：正极载板U型槽及负极载板U型槽深度分别大于或等于正极载板及负极载板厚度的一半。
4.根据权利要求1所述的密集阵列式抗衰减LED引线框架，其特征在于：负极载板上的芯片安装区为化学蚀刻而成的凹坑，芯片粘装在凹坑内。
5.根据权利要求1所述的密集阵列式抗衰减LED引线框架，其特征在于：所述支架框、正极载板、负极载板、支撑脚的材料均采用镍锡铜合金材料。
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