[实用新型]一种抛光垫、抛光装置

说明书

本实用新型公开了一种抛光垫、抛光装置，涉及用于加工平面的研磨垫技术领域。抛光垫包括从上至下依次设置的亲水聚酰胺层、热塑性聚氨酯层和聚氯乙烯层，亲水聚酰胺层表面设置有若干个凹槽，每个凹槽的深度小于亲水聚酰胺层的高度，每个凹槽内设置有填充部，填充部的高度小于凹槽的深度，填充部包括从上至下依次设置的第一填充层、第二填充层……第N填充层，相邻的两个填充层之间设置有分隔层，分隔层和填充层不连接。本实用新型的填充部包括至少两个填充层和将填充层分开的分隔层，在抛光垫使用一段时间后，揭开分隔层即可去除掉上侧的填充层，延长抛光垫的使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及用于加工平面的研磨垫技术领域，尤其涉及一种抛光垫、抛光装置。

背景技术

化学机械抛光(CMP)技术是半导体晶片表面加工的关键技术之一，在集成电路制造过程的各阶段表面平整化工艺和大尺寸裸晶圆的表面抛光工艺中得到广泛应用。化学机械抛光的过程，主要是通过抛光垫、抛光液和所选的化学试剂的作用从晶片基板去除材料的过程。

在这个过程中，抛光模板，压力盘，压力磨头，大盘等装置构成了抛光的主要场所，其中抛布贴在大盘上，抛光模板把晶圆压在抛布上面，随着抛头和大盘的旋转，晶圆表面在被抛光液作用后能够被抛布上的绒毛去除，最终实现抛光。

现有抛光技术中，在抛光布的表面设有很多沟槽，该沟槽的作用是使抛光液能够均匀的流到抛光布的表面，使抛光效果均匀。但是在实际抛光过程中，该沟槽会随着使用时间的延长逐渐变浅甚至被磨平，大大削弱了其运输抛光液的能力；然而，如果一开始就把沟槽开的太深的话，则会使抛光效果不容易控制。

公开号为CN207788624U的中国实用新型“抛光垫及其抛光装置”提供了一种抛光垫及其抛光装置，涉及半导体技术领域，为解决抛光布随着使用时间的延长，其运输抛光液的能力会大大降低，可能对抛光效果产生不良影响的问题而设计。涉及一种抛光垫，包括：抛光布本体，抛光布本体上设有至少一个凹槽，至少一个凹槽内设有用于限制抛光液流动的填充物。还涉及一种抛光装置，包括：抛光机大盘和上述的抛光垫，抛光垫固定在抛光机大盘上。该抛光垫及其抛光装置的使用寿命较长且实用性较强。

该实用新型的抛光垫在凹槽中设置填充物，随着抛光垫的厚度逐渐减小，不断清除填充物，达到凹槽深度不变的效果，提升了抛光垫的使用寿命。但填充物通常由各种无机材料组成，凹槽的宽度又极小，很难清除掉填充物。

公开号为CN210414071U的中国实用新型“一种多层结构的抛光垫”提供了一种多层结构的抛光垫，从上至下依次设有亲水聚酰胺层、热塑性聚氨酯层和聚氯乙烯层，所述亲水聚酰胺层表面含有若干凸起单元，每个凸起单元包括矩形阵列形成的小凸起以及围绕该小凸起设置的大凸起，每个凸起单元之间距离大于所述每个凸起单元内小凸起之间的距离，所述大凸起的高度和所述小凸起的高度一致；所述小凸起之间以及凸起单元之间构成相互连通的网格状凹槽；所述大凸起和/或所述小凸起上表面设有若干储液微孔；该实用新型能够有效延长使用寿命，而且能够避免大料屑在抛光垫上残留影响抛光质量。

该实用新型使用微溶于抛光液的填充物，填充物在抛光的过程中逐渐“磨损”。这样，在抛光垫磨平的过程中，凹槽的深度依然不变，提高了抛光垫的使用寿命。然而，填充物的磨损并不均匀，有的地方磨损快，有的地方磨损慢，形成各种坑坑洼洼，影响抛光液的顺利流通，进而影响抛光质量。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种可去除填充层、延长使用寿命的抛光垫、抛光装置。

为解决上述问题，本实用新型的技术方案为：