[实用新型]一种超细线路制备装置

说明书

本实用新型提供一种超细线路制备装置，其中，包括纳米铜气溶胶制备装置和纳米铜收集装置，所述纳米铜气溶胶制备装置通过管道与所述纳米铜收集装置连接，所述纳米铜收集装置包括外壳，所述外壳内部设有用于放置基板并接收所述纳米铜气溶胶制备装置制备出的纳米铜气溶胶的XY移动平台，以及用于对XY移动平台上放置的基板进行光烧结的光学系统，所述外壳上设有抽真空装置和出气口，所述出气口上设有第一单向排气阀。本实用新型能够有效避免纳米铜颗粒被氧化，显著提高基本上超细线路的加工效率，且成本低、无污染。

技术领域

本实用新型涉及电子基板技术领域，更具体地，涉及一种超细线路制备装置。

背景技术

近年来，纳米技术得到了长远地发展，纳米金属低温烧结后接近块状金属的熔点、电导率和热导率，可以较好的满足高温服役的工作环境。这其中，纳米铜以成本低廉、材料易得、电迁移率低等优势脱颖而出。所以研究者们将纳米铜颗粒制备成铜膏应用于基板的超细导电线路的制备中，虽然纳米铜材料具有独特的优势，但是氧化问题严重，纳米铜抗氧化问题是人们一直希望能够解决的难题。中国专利一种具有较高速率的电路基板线圈线路蚀刻工艺，中国公布号为CN107949164A，公开日期为20171127，该专利通过在铜箔上进行激光进行刻蚀形成超细线路，但是并没有解决铜的氧化问题；而公开传统的管式炉、快速退火炉、热压炉加热需要很长的加热时间，在充满保护气体的传统烧结炉进行烧结也存在一定程度的氧化，现有的光烧结工艺保证了较低的退火速度和较快的加工速度，即使在空气环境中也有明显的抗氧化作用，此外光烧结的纳米铜薄膜比传统的加热工艺具有更好的集电性能和更低的氧化率；但是在光烧结过程中纳米铜依旧存在与外界空气接触而出现被氧化的缺陷，造成纳米铜颗粒之间的连接强度不高，导电性能不强等问题，而且操作过程较多，增加了操作难度。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有超细线路加工过程中已被氧化和操作难度大的缺点，提供一种超细线路制备装置。本实用新型能够有效避免纳米铜颗粒被氧化，显著提高基本上超细线路的加工效率，且成本低、无污染。

为解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案是：一种超细线路制备装置，包括纳米铜气溶胶制备装置和纳米铜收集装置，所述纳米铜气溶胶制备装置通过管道与所述纳米铜收集装置连接，所述纳米铜收集装置包括外壳，所述外壳内部设有用于放置基板并接收所述纳米铜气溶胶制备装置制备出的纳米铜气溶胶的XY移动平台，以及用于对XY移动平台上放置的基板进行光烧结的光学系统，所述外壳上设有抽真空装置和出气口，所述出气口上设有第一单向排气阀。本技术方案中纳米铜气溶胶制造装置生成纳米铜颗粒，纳米铜颗粒分散在惰性气体中形成纳米铜气溶胶，纳米铜气溶胶从管道中进入纳米铜收集装置，XY移动平台上放置需要加工的基板，纳米铜颗粒沉积在基板上，XY移动平台带动基板进行移动的同时，光学系统发出的光对基本上沉积的纳米铜颗粒进行烧结，随着XY平台的移动，基板上烧结形成具有精确线宽、线距和所需形状的可导电的超细线路，由于抽真空装置提前将纳米铜收集装置内的空气进行抽取，纳米铜气溶胶制备装置形成的气溶胶源源不断输入纳米铜收集装置，使得纳米铜收集装置内可以充满由纳米铜收集装置中产生的惰性气体，在烧结加工过程中能够有效避免纳米铜颗粒被氧化，第一单向排气阀排出纳米铜收集装置多余的惰性气体，维持纳米铜收集装置中的压力。