[实用新型]一种改良型大功率贴片二极管有效
| 申请号: | 202020841349.9 | 申请日: | 2020-05-19 |
| 公开(公告)号: | CN211788992U | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
| 发明(设计)人: | 林茂昌 | 申请(专利权)人: | 上海金克半导体设备有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/495 | 分类号: | H01L23/495;H01L23/49;H01L23/31 |
| 代理公司: | 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 | 代理人: | 吕伴 |
| 地址: | 201100 上海市闵行*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 改良 大功率 二极管 | ||
本实用新型公开的一种改良型大功率贴片二极管,其由芯片和两个铜引脚焊合后再采用封装料封装而成;两个铜引脚采用厚度一直的铜片按照一定的要求弯曲成形,在与芯片焊合的部位冲制有凸点以及在冲制凸点时所形成的凹坑,在所述凹坑内填充有与所述凹坑形状像适配且用于增加散热面积的铜粒,其特征在于,两个铜引脚上的凹坑的开口均朝背离重力的方向,且所述芯片上面的一个铜引脚中的凸点和所述芯片下面的一个铜引脚的凹坑内的铜粒与芯片的两极焊合。本实用新型的两个铜引脚中的凹坑均朝向背离重力的方向,在封装过程中,两个铜引脚的凹坑中的铜粒不会掉出来,在封装过程中,不会因为焊锡熔化而使得铜粒掉出来,从而具有方便操作,提高生产效率。
技术领域
本实用新型涉及半导体元器件制备技术领域,特别涉及一种改良型大功率贴片二极管。
背景技术
目前的贴片式二极管有如图1所示,其由芯片1和两个铜引脚2、3焊合后再采用封装料4封装而成。两个铜引脚2、3与芯片1焊合的部位2a、3a面向芯片1的方向冲制有凸点2aa、3aa,凸点2aa、3aa与芯片1的两极1a、1b焊合。
为了增加散热,参见图2,有人在凸点2aa、3aa上增加铜粒4、5,铜粒5、6与芯片1的两极1a、1b焊合,这样的操作方式,铜粒4、5安装起来非常困难,铜粒5、6经常会从凸点2aa、3aa上掉下来。
为了解决铜引脚2、3与芯片1焊合的部位2a、3a散热的问题和铜引脚2、3的引出部弯曲问题,有人采用与芯盘1焊合的部位2a、3a材料厚而引出部材料薄的异型材来做铜引脚2、3。但是这类异型材加工起来比较困难,成本也高。
为此,本申请人于2020年3月12日向国家知识产权局提交了一份大功率贴片二极管的实用新型和发明专利申请(其中实用新型申请号2020203029290,发明申请号2020101709985),参见图3,由芯片1和两个铜引脚2、3焊合后再采用封装料4封装而成。两个铜引脚2、3与芯片1焊合的部位2a、3a面向芯片1的方向冲制有凸点2aa、3aa,凸点2a、3a与芯片1的两极1a、1b焊合,因此在两个铜引脚2、3与芯片1焊合的部位2a、3a背向芯片1的方向自然会在冲制凸点2aa、3aa形成凹坑2ab、3ab。在凹坑2ab、3ab内压合并焊接有铜粒5、6,这些铜粒5、6形成本实用新型的散热加强部。铜粒5、6各自突出两个铜引脚2、3与芯片1焊合的部位2a、3a背向芯片1的方向的表面2ac、3ac,突出的部分根据需要设定。
但是经过实践发现,设置在铜引脚3的凹坑3ab内的铜粒6因为重力会掉下来。尽管可以通过锡焊来解决这个问题,但是一旦进行焊接时,温度会使锡熔化,使得铜粒6掉出凹坑3ab,影响到产品的品质。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题在于针对现有贴片式二极管所存在的上述问题而提供一种容易制造的改良型大功率贴片二极管。
本实用新型所要解决的技术问题可以通过以下技术方案来实现:
一种改良型大功率贴片二极管,其由芯片和两个铜引脚焊合后再采用封装料封装而成;两个铜引脚采用厚度一直的铜片按照一定的要求弯曲成形,在与芯片焊合的部位冲制有凸点以及在冲制凸点时所形成的凹坑,在所述凹坑内填充有与所述凹坑形状像适配且用于增加散热面积的铜粒,其特征在于,两个铜引脚上的凹坑的开口均朝背离重力的方向,且所述芯片上面的一个铜引脚中的凸点和所述芯片下面的一个铜引脚的凹坑内的铜粒与芯片的两极焊合。
在本实用新型的一个优选实施例中,所述铜粒采用垂直截面为矩形的直形铜粒或者采用垂直截面为T型的T形铜粒。
由于采用了如上的技术方案,本实用新型的两个铜引脚中的凹坑均朝向背离重力的方向,在封装过程中,两个铜引脚的凹坑中的铜粒不会掉出来,在封装过程中,不会因为焊锡熔化而使得铜粒掉出来,从而具有方便操作,提高生产效率。
附图说明
图1为现有一种贴片式二极管的结构示意图。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海金克半导体设备有限公司,未经上海金克半导体设备有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202020841349.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种建筑工程用检测尺
- 下一篇:一种组合式抗震支架





