[实用新型]一种弱相位漂移的铌酸锂波导

说明书

本申请公开了一种弱相位漂移的铌酸锂波导，包括铌酸锂层、金属电极以及基底层，所述铌酸锂层包括铌酸锂中心脊和向铌酸锂中心脊两侧延伸的铌酸锂延伸面，所述铌酸锂中心脊的上表面设有金属氧化物层，所述基底层位于所述铌酸锂层的下表面，所述基底层由硅，二氧化硅，硅和二氧化硅多层材料或者二氧化硅、金属与硅的多层材料制成，以此进一步达到达到抑制相位漂移的目的。相较于其他参杂或者其他结构，本结构制作方法简单，同时产生非常好的相位漂移抑制效果。

技术领域

本申请涉及电子通信领域，特别涉及一种弱相位漂移的铌酸锂波导。

背景技术

铌酸锂是一种被广泛应用于光电器件的材料之一。铌酸锂的各项光电特性，如低操作电压、低传输损耗等优势，使之被用于制造多种光电器件，例如光波导、高速光调制器、光学变频器等等。近年来薄膜铌酸锂-绝缘体(Lithium Niobate-on-Insulator)的发展使兼容现代集成电路制造工艺的薄膜铌酸锂光波导被广泛研究。薄膜铌酸锂光波导可以被应用于高速光电器件，例如马赫-曾德尔光调制器以及微环共振器等。

调制器、光开关等集成光路器件需要一个合适的偏置工作点来进行正常工作，即给器件施加以合适的相位偏置点。举几个例子，铌酸锂调制器应用于光通信系统中，需要降低误码率，这就需要基本稳定的偏置工作点；应用于CATV系统时，干涉与需要在π/2相位偏置工作点附近才能获得最佳的线性度；应用于光开关时也需要合适的偏置电压来调整最大或最小的光透过率来映射零点或π相位偏置点。但是铌酸锂波导调制器的相位稳定性会受到一系列外部环境影响，例如外电场、机械力、温度等影响，使得调制相位发生漂移，进而使器件的直流偏置零点也发生幅度或大或小、频率或高或低的漂移。这种漂移会导致铌酸锂波导器件失效，限制了铌酸锂波导器件在实际环境下的应用。

实用新型内容

本申请的主要目的在于提供一种弱相位漂移的铌酸锂波导，达到抑制相位漂移的目的，增强器件工作的稳定性。

为了实现上述目的，本申请提供了一种弱相位漂移的铌酸锂波导，包括铌酸锂层、金属电极以及基底层，所述铌酸锂层包括铌酸锂中心脊和向铌酸锂中心脊两侧延伸的铌酸锂延伸面，所述铌酸锂中心脊的上表面设有金属氧化物层，所述基底层位于所述铌酸锂层的下表面，所述基底层由硅，二氧化硅，硅和二氧化硅多层材料或者二氧化硅、金属与硅的多层材料制成。

优选地，所述铌酸锂延伸面的上表面以及中心脊的侧表面设有金属氧化物层。

优选地，还包括覆盖层，所述覆盖层位于金属氧化物层和未覆盖金属氧化物的铌酸锂层的上表面，所述覆盖层由二氧化硅构成。

优选地，所述金属电极与所述金属氧化物层的上表面连接。

优选地，所述金属电极穿过所述部分或全部金属氧化物层和/或部分或全部铌酸锂延伸面和/或部分或全部下层基底层后，与所述被穿过的最下层的表面连接。

优选地，所述金属电极与所述铌酸锂延伸面的上表面连接。

优选地，所述金属电极穿过所述部分或全部铌酸锂延伸面和/或部分或全部下层基底层后，与所述被穿过的最下层的表面连接。

优选地，所述金属电极穿过所述部分或全部覆盖层和/或部分或全部金属氧化物层和/或部分或全部铌酸锂延伸面和/或部分或全部下层基底层后，与所述被穿过的最下层的表面连接。

优选地，所述金属电极顶面高于或者低于或者等于覆盖层的表面高度。

优选地，所述金属电极位于所述基底层内。

优选地，所述金属氧化层外表面为波浪起伏状结构，金属氧化层的最大厚度小于2μm。

优选地，所述金属氧化物层为氧化铝，氧化铪，氧化钽，二氧化皓或二氧化钛等。