[实用新型]一种弱相位漂移的铌酸锂波导

权利要求书

1.一种弱相位漂移的铌酸锂波导，其特征在于，包括铌酸锂层、金属电极以及基底层，所述铌酸锂层包括铌酸锂中心脊和向铌酸锂中心脊两侧延伸的铌酸锂延伸面，所述铌酸锂中心脊的上表面设有金属氧化物层，所述基底层位于所述铌酸锂层的下表面。

2.如权利要求1所述的一种弱相位漂移的铌酸锂波导，其特征在于，所述铌酸锂延伸面的上表面以及中心脊的侧表面设有金属氧化物层。

3.如权利要求1或2所述的一种弱相位漂移的铌酸锂波导，其特征在于，还包括覆盖层，所述覆盖层位于金属氧化物层和未覆盖金属氧化物的铌酸锂层的上表面，所述覆盖层由二氧化硅构成。

4.如权利要求2所述的一种弱相位漂移的铌酸锂波导，其特征在于，所述金属电极与所述金属氧化物层的上表面连接。

5.如权利要求2所述的一种弱相位漂移的铌酸锂波导，其特征在于，所述金属电极穿过所述部分或全部金属氧化物层和/或部分或全部铌酸锂延伸面和/或部分或全部下层基底层后，与所述被穿过的最下层的表面连接。

6.如权利要求1所述的一种弱相位漂移的铌酸锂波导，其特征在于，所述金属电极与所述铌酸锂延伸面的上表面连接。

7.如权利要求1所述的一种弱相位漂移的铌酸锂波导，其特征在于，所述金属电极穿过所述部分或全部铌酸锂延伸面和/或部分或全部下层基底层后，与所述被穿过的最下层的表面连接。

8.如权利要求3所述的一种弱相位漂移的铌酸锂波导，其特征在于，所述金属电极穿过所述部分或全部覆盖层和/或部分或全部金属氧化物层和/或部分或全部铌酸锂延伸面和/或部分或全部下层基底层后，与所述被穿过的最下层的表面连接。

9.如权利要求3所述的一种弱相位漂移的铌酸锂波导，其特征在于，所述金属电极顶面高于或者低于或者等于覆盖层的表面高度。

10.如权利要求3所述的一种弱相位漂移的铌酸锂波导，其特征在于，所述金属电极位于所述基底层内。

11.如权利要求1或2所述的一种弱相位漂移的铌酸锂波导，其特征在于，所述金属氧化物层最大厚度小于2μm。

12.如权利要求1所述的一种弱相位漂移的铌酸锂波导，其特征在于，所述金属氧化物层为氧化铝，氧化铪，氧化钽，二氧化皓或二氧化钛。

13.如权利要求1所述的一种弱相位漂移的铌酸锂波导，其特征在于，所述铌酸锂中心脊的厚度为0.2-3μm，铌酸锂延伸面的厚度为0.1-1μm，所述铌酸锂中心脊的宽度为0.3-3μm。