[实用新型]非接触芯片倒封装结构

说明书

本实用新型公开一种非接触芯片倒封装结构，其包括：复合基板，其包括由上至下依次复合固定在一起的绝缘层、环氧树脂层及金属导电层，该金属导电层包括固定于环氧树脂层下端的第一金属片和第二金属片，该第一金属片和第二金属片之间形成有间隔；该绝缘层设有一窗口，该环氧树脂层上设有贯穿的第一点锡孔和第二点锡孔，该第一点锡孔和第二点锡孔均置于该窗口中，且该第一点锡孔和第二点锡孔还分别位于第一金属片和第二金属片上端；晶元，其设于该复合基板的窗口中，且晶元两侧的两个电极分别通过点锡方式形成有第一锡点和第二锡点，且该第一锡点和第二锡点分别穿过环氧树脂层的第一点锡孔和第二点锡孔分别与第一金属片和第二金属片固定。

技术领域：

本实用新型涉及非接触芯片结构领域，特指一种非接触芯片倒封装结构。

背景技术：

芯片封装，是一种将集成电路用绝缘的塑料或陶瓷材料打包的技术，不仅直到安放、固定、密封、保护芯片和增强导热性能的作用，而且还是沟通芯片内部世界与外部电路的桥梁。随着智能产品和可穿戴设备向更小、更薄、更轻的方向发展，芯片的制造工艺也不断从微米向纳米级发展，但芯片制造的工艺尺寸越往下发展越困难。

现有技术中的芯片封装结构中的晶元与金属片之间都是通过焊金线/银线/铝线的方式导接，其结构不够稳定，且由于芯片本身的尺寸较小，金线/银线/铝线则又短又系，其在焊线时需要定位，导致其焊接极为密封，精度要求较高，使芯片组装效率低下，不利于提高市场竞争力。

有鉴于此，本发明人提出以下技术方案。

实用新型内容：

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种非接触芯片倒封装结构。

为了解决上述技术问题，本实用新型采用了下述技术方案：该非接触芯片倒封装结构包括：复合基板，其包括由上至下依次复合固定在一起的绝缘层、环氧树脂层以及金属导电层，该金属导电层包括固定于该环氧树脂层下端的第一金属片和第二金属片，该第一金属片和第二金属片之间形成有间隔；该绝缘层设置有一窗口，该环氧树脂层上设置有贯穿的第一点锡孔和第二点锡孔，该第一点锡孔和第二点锡孔均置于该窗口中，且该第一点锡孔和第二点锡孔还分别位于该第一金属片和第二金属片上端；晶元，其设置于该复合基板的窗口中，且该晶元两侧的两个电极分别通过点锡方式形成有第一锡点和第二锡点，且该第一锡点和第二锡点分别穿过所述环氧树脂层的第一点锡孔和第二点锡孔分别与第一金属片和第二金属片固定。

进一步而言，上述技术方案中，所述第一金属片和第二金属片均为铜片或铁片或铝片或不锈钢片的任意一种。

进一步而言，上述技术方案中，所述第一金属片和第二金属片的形状及尺寸均相同，其对称分布于该环氧树脂层下端。

进一步而言，上述技术方案中，所述绝缘层由PP材料一体成型。

进一步而言，上述技术方案中，所述绝缘层的厚度为0.18mm；所述环氧树脂层的厚度为0.02mm；所述金属导电层的厚度为0.05mm。

进一步而言，上述技术方案中，所述窗口为矩形，所述晶元也呈矩形，该晶元外围与窗口内壁之前形成有间隔。

采用上述技术方案后，本实用新型与现有技术相比较具有如下有益效果：本实用新型在复合基板中的绝缘层中设置一窗口用于装载晶元，且该环氧树脂层上设置有贯穿的第一点锡孔和第二点锡孔，该第一点锡孔和第二点锡孔均置于该窗口中，通过点锡的方式在第一点锡孔和第二点锡孔处形成第一锡点和第二锡点，该第一锡点和第二锡点分别穿过该第一点锡孔和第二点锡孔与第一金属片和第二金属片固定连接，再将晶元放置于该复合基板的窗口中，该晶元的正负极分别与第一锡点和第二锡点接触，以实现固晶，使该晶元固定于该复合基板的窗口中，并与所述第一金属片和第二金属片电性连接，其相对现有技术中的晶元与金属片之间都是通过焊金线/银线/铝线的方式导接的技术而言，其固晶效率更高，且操作十分简易，并且精度要求不需要太高，使芯片组装效率较高，令本实用新型具有极强的市场竞争力。