[实用新型]非接触芯片倒封装结构有效

专利信息
申请号: 202020797087.0 申请日: 2020-05-13
公开(公告)号: CN211743132U 公开(公告)日: 2020-10-23
发明(设计)人: 刘瑛;罗鸿耀;吴京都;吴小平 申请(专利权)人: 东莞市三创智能卡技术有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L23/488;H01L23/492
代理公司: 北京风雅颂专利代理有限公司 11403 代理人: 杨育增
地址: 523000 广东省东莞*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 接触 芯片 封装 结构
【权利要求书】:

1.非接触芯片倒封装结构,其特征在于:其包括:

复合基板(1),其包括由上至下依次复合固定在一起的绝缘层(11)、环氧树脂层(12)以及金属导电层(13),该金属导电层(13)包括固定于该环氧树脂层(12)下端的第一金属片(131)和第二金属片(132),该第一金属片(131)和第二金属片(132)之间形成有间隔;该绝缘层(11)设置有一窗口(110),该环氧树脂层(12)上设置有贯穿的第一点锡孔(121)和第二点锡孔(122),该第一点锡孔(121)和第二点锡孔(122)均置于该窗口(110)中,且该第一点锡孔(121)和第二点锡孔(122)还分别位于该第一金属片(131)和第二金属片(132)上端;

晶元(2),其设置于该复合基板(1)的窗口(110)中,且该晶元(2)两侧的两个电极分别通过点锡方式形成有第一锡点(21)和第二锡点(22),且该第一锡点(21)和第二锡点(22)分别穿过所述环氧树脂层(12)的第一点锡孔(121)和第二点锡孔(122)分别与第一金属片(131)和第二金属片(132)固定。

2.根据权利要求1所述的非接触芯片倒封装结构,其特征在于:所述第一金属片(131)和第二金属片(132)均为铜片或铁片或铝片或不锈钢片的任意一种。

3.根据权利要求2所述的非接触芯片倒封装结构,其特征在于:所述第一金属片(131)和第二金属片(132)的形状及尺寸均相同,其对称分布于该环氧树脂层(12)下端。

4.根据权利要求1-3任意一项所述的非接触芯片倒封装结构,其特征在于:所述绝缘层(11)由PP材料一体成型。

5.根据权利要求4所述的非接触芯片倒封装结构,其特征在于:所述绝缘层(11)的厚度为0.18mm;所述环氧树脂层(12)的厚度为0.02mm;所述金属导电层(13)的厚度为0.05mm。

6.根据权利要求4所述的非接触芯片倒封装结构,其特征在于:所述窗口(110)为矩形,所述晶元(2)也呈矩形,该晶元(2)外围与窗口(110)内壁之前形成有间隔。

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