[实用新型]一种大尺寸公斤级碳化硅单晶生长用坩埚有效
| 申请号： | 202020782967.0 | 申请日： | 2020-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN212895082U | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 刘欣宇;袁振洲 | 申请（专利权）人： | 江苏超芯星半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B25/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 王佳妹 |
| 地址： | 225000 江苏省扬州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 公斤 碳化硅 生长 坩埚 | ||
1.大尺寸公斤级碳化硅单晶生长用坩埚，其特征在于，该坩埚包括坩埚盖和坩埚体，所述坩埚盖与籽晶连接，所述坩埚底部中心开孔，所述坩埚上侧壁留有气孔，坩埚体为碳化硅单晶生长腔体。
2.根据权利要求1所述的大尺寸公斤级碳化硅单晶生长用坩埚，其特征在于，所述坩埚盖无开孔，厚5~40mm，与坩埚体连接方式为螺纹、卡槽或螺母。
3.根据权利要求1所述的大尺寸公斤级碳化硅单晶生长用坩埚，其特征在于，所述坩埚体为圆台状，中空。
4.根据权利要求1所述的大尺寸公斤级碳化硅单晶生长用坩埚，其特征在于，所述坩埚体侧壁厚5~30mm，底厚5~40mm。
5.根据权利要求1所述的大尺寸公斤级碳化硅单晶生长用坩埚，其特征在于，所述坩埚侧壁与底部的夹角为45~85°。
6.根据权利要求1所述的大尺寸公斤级碳化硅单晶生长用坩埚，其特征在于，所述坩埚底部中心开孔，尺寸5~30mm。
7.根据权利要求1所述的大尺寸公斤级碳化硅单晶生长用坩埚，其特征在于，所述坩埚上侧壁留有气孔，所述气孔的位置距离坩埚体上边缘1~10mm。
8.根据权利要求1所述的大尺寸公斤级碳化硅单晶生长用坩埚，其特征在于，所述侧壁的气孔的直径为0.5~10mm。
9.根据权利要求1所述的大尺寸公斤级碳化硅单晶生长用坩埚，其特征在于，所述侧壁的气孔的排数为1~10排，每排之间的间距为1~10mm，每排气孔的数量为1~10个，每排气孔的分布为均匀轴对称。
10.根据权利要求1所述的大尺寸公斤级碳化硅单晶生长用坩埚，其特征在于，所述坩埚的排气孔镀有耐高温耐腐蚀涂层，包括碳化钽或碳化钨，涂层厚度为1~500μm。
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