[实用新型]一种半导体发光元件

说明书

本实用新型公开一种半导体发光元件，其包括半导体垒晶叠层，包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和位于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的活性层；电流阻挡层，位于所述第二导电类型半导体层的远离活性层的一侧；第一电极，配置于所述第一导电类型半导体层上；第二电极，包含焊盘和扩展条，配置于所述第二导电类型半导体层上；其特征在于，所述第二电极的扩展条在所述电流阻挡层之上，并且所述第二电极的扩展条的端部超出所述电流阻挡层。本实用新型第二电极的扩展条的端部超出电流阻挡层，可改善电流聚集的情况，使电流分布更均匀，提升半导体发光元件的发光均匀性。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体发光元件，属于半导体光电子器件与技术领域。

背景技术

发光二极管(LightEmittingDiode，简称LED)具有发光强度大、效率高、体积小、使用寿命长等优点，被认为是当前最具有潜力的光源之一。近年来，LED已在日常生活中得到广泛应用，例如照明、信号显示、背光源、车灯和大屏幕显示等领域，同时这些应用也对LED的亮度、发光效率提出了更高的要求。

为了提升LED发光效率，LED芯片设计除了逐步向小电极方面进行优化，还会向细电极引线方面进行优化，以减小挡光面积，提高发光亮度。但是，在较大电流密度下，细电极引线容易导致电流无法实现有效扩展，集中在电极引线与电极连接的一端，电流扩展不均匀、热量局部集中，导致电极和电极引线的连接处断裂，影响LED芯片的可靠性和抗静电能力。

图1为现有的一种正装发光二极管的电极结构的示意图，现有正装发光二极管包括衬底1、第一导电类型半导体层2、活性层3和第二导电类型半导体层4，电流阻挡层5、透明导电层6、第一电极7和第二电极8。其中第二电极8包括焊盘8a和扩展条8b。第二电极扩展条8b位于电流阻挡层5之上，其端部未超出电流阻挡层5，电流会聚集在扩展条的前端，电流无法有效的扩展到扩展条的尾端，从而引起电流分布的不均匀，导致发光的不均匀。

发明内容

为了解决以上的问题，本实用新型通过延伸第二电极扩展条超出电流阻挡层，可改善电流聚集的情况，使电流分布更均匀，提升半导体发光元件的发光均匀性。

为实现上述目的，本实用新型提供一种半导体发光元件，其包括：半导体垒晶叠层，包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和位于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的活性层；电流阻挡层，位于所述第二导电类型半导体层的远离活性层的一侧；第一电极，配置于所述第一导电类型半导体层上；第二电极，包含焊盘和扩展条，配置于所述第二导电类型半导体层上；其特征在于，所述第二电极的扩展条在所述电流阻挡层之上，并且所述第二电极的扩展条的端部超出所述电流阻挡层。

优选的，超出所述电流阻挡层的第二电极的扩展条的条数大于等于1。

优选的，超出所述电流阻挡层的第二电极的扩展条的条数为1时，所述超出电流阻挡层的第二电极的扩展条与从第二电极焊盘延伸的扩展条的夹角θ的范围为0°≤θ 360°。

优选的，超出所述电流阻挡层的第二电极的扩展条的条数大于1时，所述超出电流阻挡层的第二电极的扩展条为直线状、折线状，圆弧状或者前述的任意组合之一。

优选的，包括透明导电层，位于第二电极和电流阻挡层之间。

作为本实用新型的另外一种实施方式，电流阻挡层还存在第一电极和第一导电型半导体层之间。

优选的，第一电极包括焊盘和扩展条，所述第一电极扩展条的端部超出电流阻挡层。

优选的，超出所述电流阻挡层的第一电极扩展条的条数大于等于1。

优选的，所述扩展条为单层金属结构或多层金属结构。

优选的，所述电极扩展条的材质选自金、铝、铑、铬、铝、钛、铂中的一种或者几种的组合。