[实用新型]一种半导体发光元件有效
| 申请号： | 202020766610.3 | 申请日： | 2020-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN212033040U | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 林素慧;许圣贤;沈孟骏;陈思河;陈功;黄禹杰 | 申请（专利权）人： | 厦门三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361100 福建省厦门市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 发光 元件 | ||
1.一种半导体发光元件，其包括：
半导体垒晶叠层，包括第一导电类型半导体层、第二导电类型半导体层和位于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的活性层；
电流阻挡层，位于所述第二导电类型半导体层的远离活性层的一侧；
第一电极，配置于所述第一导电类型半导体层上；
第二电极，包含焊盘和扩展条，配置于所述第二导电类型半导体层上；
其特征在于，所述第二电极的扩展条在所述电流阻挡层之上，并且所述第二电极的扩展条的端部超出所述电流阻挡层。
2.如权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：超出所述电流阻挡层的第二电极的扩展条的条数大于等于1。
3.如权利要求2所述的一种半导体发光元件，其特征在于：超出所述电流阻挡层的第二电极的扩展条的条数为1时，所述超出电流阻挡层的第二电极的扩展条与从第二电极焊盘延伸的扩展条的夹角θ的范围为0°≤θ 360°。
4.如权利要求2所述的一种半导体发光元件，其特征在于：超出所述电流阻挡层的第二电极的扩展条的条数大于1时，所述超出电流阻挡层的第二电极的扩展条为直线状、折线状，圆弧状或者前述的任意组合之一。
5.如权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：还包括透明导电层，位于第二电极和电流阻挡层之间。
6.如权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：电流阻挡层还存在第一电极和第一导电型半导体层之间。
7.如权利要求6所述的一种半导体发光元件，其特征在于：第一电极包括焊盘和扩展条，所述第一电极的扩展条的端部超出电流阻挡层。
8.如权利要求7所述的一种半导体发光元件，其特征在于：超出所述电流阻挡层的第一电极的扩展条的条数大于等于1。
9.如权利要求1所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述第二电极的扩展条为单层金属结构或多层金属结构。
10.如权利要求7所述的一种半导体发光元件，其特征在于：所述第一电极的扩展条为单层结构或多层金属结构。
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