[实用新型]GaN基LED芯片

说明书

本实用新型公开了一种GaN基LED芯片，包括：支撑衬底；设于支撑衬底表面的多层半导体结构，多层半导体结构从下到上包括第一半导体层、量子阱层及第二半导体层，第二半导体层为GaN层，且多层半导体结构表面包括第一预设区域和第二预设区域，其中，第一预设区域为未粗化GaN表面，第二预设区域为粗化GaN表面；及于第二半导体层第一预设区域表面制作的金属电极。相对于现有整个多层半导体结构表面均粗化的芯片来说，大大提高了后续封装焊线的可靠性，大大降低了出现虚焊、掉电极等异常现象的概率。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种LED芯片。

背景技术

近年来，LED产业得以迅猛发展，提升亮度仍然是LED芯片不断追求的目标。在GaN基LED芯片中，通过对GaN表面进行粗化可以使其亮度提升50-300％，是以多种结构的GaN基LED芯片，尤其是垂直结构LED芯片都会采用粗化工艺对GaN表面进行处理。

目前，GaN基LED芯片的粗化过程一般为：1)将外延生长的多层半导体结构12转移至支撑衬底11上；2)针对多层半导体结构12表面进行粗化形成GaN粗糙面13，如图1所示；3)在该GaN粗糙面13上制作电极14，如图2所示。

从图中可以看出，由于GaN粗糙面的粗糙度较大，直接影响了电极的表面形貌，使得电极的表面同样粗糙不平。这一现象使得电极表面容易藏污纳垢的同时直接影响了后续封装焊线的可靠性。具体表现为，粗糙不平的表面使得电极顶端的有效面积减小，导致封装中与焊线之间的有效接触面积大大减少，以此易出现虚焊、掉电极等异常现象。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种GaN基LED芯片，有效解决现有芯片封装焊线可靠性不高的技术问题。

本实用新型提供的技术方案如下：

一方面，提供了一种GaN基LED芯片，包括：

支撑衬底；

设于所述支撑衬底表面的多层半导体结构，所述多层半导体结构从下到上包括第一半导体层、量子阱层及第二半导体层，所述第二半导体层为GaN层，且所述多层半导体结构表面包括第一预设区域和第二预设区域，其中，所述第一预设区域为未粗化GaN表面，所述第二预设区域为粗化GaN表面；及

于所述第二半导体层第一预设区域表面制作的金属电极。

另一方面，提供了一种GaN基LED芯片，包括：

支撑衬底；

设于所述支撑衬底表面的多层半导体结构，所述多层半导体结构从下到上包括第一半导体层、量子阱层、第二半导体层及缓冲层，所述第二半导体层为GaN层，且所述多层半导体结构表面包括第一预设区域和第二预设区域，其中，所述第一预设区域中制作有一电极孔，所述电极孔表面为蚀刻至第二半导体层的未粗化GaN表面；所述第二预设区域为粗化至第二半导体层的粗化表面；及

于所述第二半导体层第一预设区域表面制作的金属电极。

本实用新型提供一种未对金属电极制备区域粗化的GaN基LED芯片，相对于现有整个多层半导体结构表面均粗化的芯片来说，大大提高了后续封装焊线的可靠性，大大降低了出现虚焊、掉电极等异常现象的概率，提高了芯片亮度(提升50～300％)的同时确保了芯片的稳定性。

附图说明

下面将以明确易懂的方式，结合附图说明优选实施方式，对上述特性、技术特征、优点及其实现方式予以进一步说明。

图1为现有技术中在多层半导体结构表面粗化形成GaN粗糙面结构示意图；

图2为现有技术中GaN粗糙面表面制作电极结构示意图；

图3为本实用新型中GaN基LED芯片一种实施例结构示意图；