[实用新型]GaN基LED芯片有效
| 申请号： | 202020726823.3 | 申请日： | 2020-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN211789072U | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 梁伏波;杨小东;黄涛 | 申请（专利权）人： | 晶能光电（江西）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330096 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gan led 芯片 | ||
1.一种GaN基LED芯片，其特征在于，包括：
支撑衬底；
设于所述支撑衬底表面的多层半导体结构，所述多层半导体结构从下到上包括第一半导体层、量子阱层及第二半导体层，所述第二半导体层为GaN层，且所述多层半导体结构表面包括第一预设区域和第二预设区域，其中，所述第一预设区域为未粗化GaN表面，所述第二预设区域为粗化GaN表面；及
于所述第二半导体层第一预设区域表面制作的金属电极。
2.如权利要求1所述的GaN基LED芯片，其特征在于，所述第一预设区域的面积占多层半导体结构表面面积的10～70％。
3.如权利要求1或2所述的GaN基LED芯片，其特征在于，所述金属电极的面积小于所述第一预设区域的面积，且金属电极边缘与第一预设区域边缘间环状结构的经向宽度为0.5～10μm。
4.如权利要求1或2所述的GaN基LED芯片，其特征在于，所述第一预设区域的未粗化GaN表面制作有一电极孔，所述金属电极制作于所述电极孔内。
5.如权利要求4所述的GaN基LED芯片，其特征在于，所述金属电极的面积小于所述电极孔的面积，且电极孔边缘与第一预设区域边缘间环状结构的经向宽度为0.5～10μm，金属电极边缘与电极孔边缘间环状结构的经向宽度为0.5～10μm。
6.如权利要求4所述的GaN基LED芯片，其特征在于，所述电极孔的面积小于第一预设区域的面积，所述第一预设区域中电极孔的周围还包括未粗化GaN表面平台，所述金属电极制作于所述电极孔及未粗化GaN表面平台上，且电极孔边缘与第一预设区域间环状结构的经向宽度为3～20μm，金属电极边缘与第一预设区域边缘间环状结构的经向宽度为0.5～10μm。
7.一种GaN基LED芯片，其特征在于，包括：
支撑衬底；
设于所述支撑衬底表面的多层半导体结构，所述多层半导体结构从下到上包括第一半导体层、量子阱层、第二半导体层及缓冲层，所述第二半导体层为GaN层，且所述多层半导体结构表面包括第一预设区域和第二预设区域，其中，所述第一预设区域中制作有一电极孔，所述电极孔表面为蚀刻至第二半导体层的未粗化GaN表面；所述第二预设区域为粗化至第二半导体层的粗化表面；及
于所述第二半导体层第一预设区域表面制作的金属电极。
8.如权利要求7所述的GaN基LED芯片，其特征在于，所述第一预设区域的面积占多层半导体结构表面面积的10～70％。
9.如权利要求7或8所述的GaN基LED芯片，其特征在于，所述金属电极制作于所述电极孔内，且所述金属电极的面积小于所述电极孔的面积，电极孔边缘与第一预设区域边缘间环状结构的经向宽度为0.5～10μm，金属电极边缘与电极孔边缘间环状结构的经向宽度为0.5～10μm。
10.如权利要求7或8所述的GaN基LED芯片，其特征在于，所述电极孔的面积小于第一预设区域的面积，所述第一预设区域中电极孔的周围还包括未粗化半导体表面平台，所述金属电极制作于所述电极孔及未粗化半导体表面平台上，且电极孔边缘与第一预设区域间环状结构的经向宽度为3～20μm，金属电极边缘与第一预设区域边缘间环状结构的经向宽度为0.5～10μm。
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