[实用新型]一种功率器件的过流保护电路

说明书

本实用新型公开一种功率器件的过流保护电路，属于电子电路领域。所述功率器件的过流保护电路包括电阻R1~R3、二极管D1~D2、稳压二极管Z1、电容C1、三极管V1和MOSFET；电阻R1和R2的第一端均接正向偏置电压VIN，电阻R1第二端通过A点接二极管D1正极，电阻R2第二端接三极管V1集电极；稳压二极管Z1的负极接二极管D1负极，正极接三极管V1基极；三极管V1集电极接MOSFET栅极，发射极通过电容C1接A点；二极管D2正极接A点，负极接MOSFET漏极；电阻R3第一端接在三极管V1基极和稳压二极管Z1正极之间，第二端接在电容C1和三极管V1发射极之间。

技术领域

本实用新型涉及电子电路技术领域，特别涉及一种功率器件的过流保护电路。

背景技术

近年来，因半导体器件的快速发展，MOSFET因开关频率高、无机械损耗等特点取代了传统机械开关。但MOS管因过载能力在发生短路或过流故障时容易被击穿，因此在运用过程中增加过流保护功能，当电流超过设定电流时候，设备自动断电，以保护设备。

目前常用的保护线路，利用互感器、压敏电阻、瞬态抑制二极管（TVS）等保护方式，在过流保护过程中，响应速度慢，动作迟缓，对短路性电流增长过快下，可能来不及动作，造成电路或设备损坏。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种功率器件的过流保护电路，以解决现有技术中的过流检测中存在滞后的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种功率器件的过流保护电路，包括电阻R1~R3、二极管D1~D2、稳压二极管Z1、电容C1、三极管V1和MOSFET；

电阻R1和R2的第一端均接正向偏置电压VIN，电阻R1第二端通过A点接二极管D1正极，电阻R2第二端接三极管V1集电极；

稳压二极管Z1的负极接二极管D1负极，正极接三极管V1基极；三极管V1集电极接MOSFET栅极，发射极通过电容C1接A点；

二极管D2正极接A点，负极接MOSFET漏极；电阻R3第一端接在三极管V1基极和稳压二极管Z1正极之间，第二端接在电容C1和三极管V1发射极之间。

可选的，所述二极管D1为低压超快恢复型肖特基二极管。

可选的，所述二极管D2为高压超快恢复型二极管。

在本实用新型提供的功率器件的过流保护电路中，包括电阻R1~R3、二极管D1~D2、稳压二极管Z1、电容C1、三极管V1和MOSFET；电阻R1和R2的第一端均接正向偏置电压VIN，电阻R1第二端通过A点接二极管D1正极，电阻R2第二端接三极管V1集电极；稳压二极管Z1的负极接二极管D1负极，正极接三极管V1基极；三极管V1集电极接MOSFET栅极，发射极通过电容C1接A点；二极管D2正极接A点，负极接MOSFET漏极；电阻R3第一端接在三极管V1基极和稳压二极管Z1正极之间，第二端接在电容C1和三极管V1发射极之间。

本实用新型提供的电路结构简单，电路过流动作响应速度极快，可靠性高，效果好，是一种理想的保护电路，节省系统成本，具有很好的实用性。

附图说明

图1是本实用新型提供的功率器件的过流保护电路结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的一种功率器件的过流保护电路作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

实施例一