[实用新型]一种芯片封装中金属互连线自修复结构

说明书

本实用新型公开一种芯片封装中金属互连线自修复结构，属于集成电路封装技术领域。所述芯片封装中金属互连线自修复结构包括封装衬底、修复合金结构和若干个控制芯片；封装衬底表面制作有金属互连线；修复合金结构制作在金属互连线上相对薄弱的位置，控制芯片布置在修复合金结构的表面。通过采用封装内嵌入式控制芯片，自动检测金属互连线断点，采用热熔修复合金结构的方式，在封装结构破坏处填充缝隙，重新连接断裂的金属互连线，具有自适应监测和修复缺陷能力，定位准确，作用快速，可以有效提高封装结构的可靠性，提高封装在恶劣环境下的适用能力，降低使用成本。

技术领域

本实用新型涉及集成电路封装技术领域，特别涉及一种芯片封装中金属互连线自修复结构。

背景技术

晶圆级封装使用半导体工艺制造金属互连线，为封装结构内各芯片和功能单元之间提供电学连接通道。典型金属互连线的宽度和厚度为几微米到几十微米，当封装结构承受外部环境的机械冲击（如跌落、过载、振动等）和温度变化冲击时，衬底结构或互连线本身可能发生结构破坏，这会导致金属互连线发生断裂，进而发生电路失效。在这种情况下，由于晶圆级封装结构是一个固态整体，无法开拆维修，造成整个封装结构失效报废。

现有的避免由于金互连线断裂造成封装结构失效的方法是在封装中增加冗余备份，或在封装结构中增加抗冲击和抗高温结构和材料，这会导致封装结构体积和重量增加，结构复杂，封装成本上升，降低晶圆级封装的适用性，造成不良影响。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种芯片封装中金属互连线自修复结构，以解决目前避免由于金互连线断裂造成封装结构失效的方法会导致封装结构体积和重量增加，结构复杂的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种芯片封装中金属互连线自修复结构，包括：

封装衬底，其表面制作有金属互连线；

修复合金结构，制造在所述金属互连线上；

若干个控制芯片，布置在所述修复合金结构表面。

可选的，所述修复合金结构制造在所述金属互连线上相对薄弱的位置，且所述修复合金结构的宽度大于10微米。

可选的，所述修复合金结构通过电镀工艺制造，且具有热熔特性。

可选的，所述控制芯片具有芯片间电阻测试功能，能够进行加热和温度控制，相邻控制芯片间的距离超过10微米。

在本实用新型中提供了一种芯片封装中金属互连线自修复结构，包括封装衬底、修复合金结构和若干个控制芯片；封装衬底表面制作有金属互连线；修复合金结构制作在金属互连线上相对薄弱的位置，控制芯片布置在修复合金结构的表面。通过采用封装内嵌入式控制芯片，自动检测金属互连线断点，采用热熔修复合金结构的方式，在封装结构破坏处填充缝隙，重新连接断裂的金属互连线，具有自适应监测和修复缺陷能力，定位准确，作用快速，可以有效提高封装结构的可靠性，提高封装在恶劣环境下的适用能力，降低使用成本。

附图说明

图1是本实用新型提供的芯片封装中金属互连线自修复结构示意图；

图2是封装结构发生断裂导致金属互连线断裂的示意图；

图3是修复合金结构熔融填充断裂间隙的示意图。

具体实施方式

以下结合附图和具体实施例对本实用新型提出的一种芯片封装中金属互连线自修复结构作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本实用新型的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本实用新型实施例的目的。

实施例一