[实用新型]一种芯片封装中金属互连线自修复结构有效
| 申请号： | 202020637716.3 | 申请日： | 2020-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN211629104U | 公开（公告）日： | 2020-10-02 |
| 发明（设计）人： | 王刚;李杨;朱召贤;颜炎洪;孙莹 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L23/52;H01L21/66;H01L21/768 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 封装 金属 互连 修复 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种芯片封装中金属互连线自修复结构，其特征在于，包括：
封装衬底（11），其表面制作有金属互连线（13）；
修复合金结构（12），制造在所述金属互连线（13）上；
若干个控制芯片（14），布置在所述修复合金结构（12）表面。
2.如权利要求1所述的芯片封装中金属互连线自修复结构，其特征在于，所述修复合金结构（12）制造在所述金属互连线（13）上相对薄弱的位置，且所述修复合金结构（12）的宽度大于10微米。
3.如权利要求1所述的芯片封装中金属互连线自修复结构，其特征在于，所述修复合金结构（12）通过电镀工艺制造，且具有热熔特性。
4.如权利要求1所述的芯片封装中金属互连线自修复结构，其特征在于，所述控制芯片（14）具有芯片间电阻测试功能，能够进行加热和温度控制，相邻控制芯片（14）间的距离超过10微米。
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