[实用新型]一种碳化硅晶片加工用盘及单面研磨机

说明书

本实用新型提供了一种碳化硅晶片加工用盘及单面研磨机，碳化硅晶片加工用盘的盘面上开设有深沟槽和浅沟槽；深沟槽和浅沟槽间隔设置，且深沟槽的深度大于浅沟槽的深度，深沟槽至少一端延伸出碳化硅晶片加工用盘，浅沟槽用于容纳研磨液，深沟槽用于将研磨液及研磨下的碎屑排出碳化硅晶片加工用盘。使用时，将碳化硅晶片加工用盘安装在单面研磨机上对碳化硅晶片进行单面研磨，研磨液分别进入浅沟槽和深沟槽内，由于深沟槽和浅沟槽间隔设置，因此，进入浅沟槽内的碎屑能够随着研磨液流入深沟槽内，并随着深沟槽的出口将碎屑排出，避免了碎屑划伤晶片，因此，提高了晶片表面有效的外延面积，减少了碳化硅表面的缺陷，提升了碳化硅晶片的成品率。

技术领域

本实用新型涉及碳化硅晶片加工技术领域，特别是涉及一种碳化硅晶片加工用盘及单面研磨机。

背景技术

碳化硅材料在散热、耐高温高压上性能优越，但是，碳化硅晶片的生产技术复杂，工艺不够成熟，主要原因是碳化硅硬度高，在研磨过程中去除量不足，容易产生划伤，使晶片表面有效的外延面积降低，影响碳化硅的使用，降低碳化硅晶片的成品率。

因此，如何减少碳化硅表面的缺陷，提升碳化硅晶片的成品率成为了本领域亟待解决的技术问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的第一个目的是提供一种碳化硅晶片加工用盘，以提高晶片清洗的洁净度，增大晶片有效使用面积。

本实用新型的第二个目的是提供一种单面研磨机。

为了达到上述第一个目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种碳化硅晶片加工用盘，所述碳化硅晶片加工用盘的盘面上开设有深沟槽和浅沟槽；

所述深沟槽和所述浅沟槽间隔设置，且所述深沟槽的深度大于所述浅沟槽的深度，所述深沟槽至少一端延伸出所述碳化硅晶片加工用盘，所述浅沟槽用于容纳研磨液，所述深沟槽用于将所述研磨液及研磨下的碎屑排出所述碳化硅晶片加工用盘。

在一个具体实施方案中，所述深沟槽为螺旋槽；

和/或

所述浅沟槽为螺旋槽。

在另一个具体实施方案中，所述深沟槽通过倒模或者车削而成；

和/或

所述浅沟槽通过车削而成。

在另一个具体实施方案中，所述深沟槽的横截面呈V形，且所述深沟槽的开角角度大于或者等于45°，且小于或者等于70°；

和/或

所述浅沟槽的横截面呈V形，且所述浅沟槽的开角角度大于或者等于45°，且小于或者等于70°。

在另一个具体实施方案中，相邻所述深沟槽间开设的所述浅沟槽的条数大于或者等于8条，且小于或者等于13条；

和/或

所述深沟槽与所述浅沟槽的深度比大于或者等于10，且小于或者等于15。

在另一个具体实施方案中，所述碳化硅晶片加工用盘为圆盘；

和/或

所述碳化硅晶片加工用盘为铜、铁和含锡树脂混合制成。

在另一个具体实施方案中，所述碳化硅晶片加工用盘的高度沿着所述碳化硅晶片加工用盘的外缘向内侧逐渐降低。

在另一个具体实施方案中，所述碳化硅晶片加工用盘的中心开设有安装槽；

所述安装槽上开设有与单面研磨机连接的螺纹孔。

在另一个具体实施方案中，所述安装槽上还开设有用于注入所述研磨液的注入通孔。