[实用新型]一种碳化硅晶片加工用盘及单面研磨机有效
| 申请号： | 202020619385.0 | 申请日： | 2020-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN212071345U | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 张雨晨;杨占伟;张平;邹宇 | 申请（专利权）人： | 江苏天科合达半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B24B7/22 | 分类号： | B24B7/22;B24B37/10;B24B37/34;B24B57/02;B08B13/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 韩静粉 |
| 地址： | 221000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 晶片 工用 单面 研磨机 | ||
1.一种碳化硅晶片加工用盘，其特征在于，所述碳化硅晶片加工用盘的盘面上开设有深沟槽和浅沟槽；
所述深沟槽和所述浅沟槽间隔设置，且所述深沟槽的深度大于所述浅沟槽的深度，所述深沟槽至少一端延伸出所述碳化硅晶片加工用盘，所述浅沟槽用于容纳研磨液，所述深沟槽用于将所述研磨液及研磨下的碎屑排出所述碳化硅晶片加工用盘。
2.根据权利要求1所述的碳化硅晶片加工用盘，其特征在于，所述深沟槽为螺旋槽；
和/或
所述浅沟槽为螺旋槽。
3.根据权利要求1所述的碳化硅晶片加工用盘，其特征在于，所述深沟槽通过倒模或者车削而成；
和/或
所述浅沟槽通过车削而成。
4.根据权利要求1所述的碳化硅晶片加工用盘，其特征在于，所述深沟槽的横截面呈V形，且所述深沟槽的开角角度大于或者等于45°，且小于或者等于70°；
和/或
所述浅沟槽的横截面呈V形，且所述浅沟槽的开角角度大于或者等于45°，且小于或者等于70°。
5.根据权利要求1所述的碳化硅晶片加工用盘，其特征在于，相邻所述深沟槽间开设的所述浅沟槽的条数大于或者等于8条，且小于或者等于13条；
和/或
所述深沟槽与所述浅沟槽的深度比大于或者等于10，且小于或者等于15。
6.根据权利要求1所述的碳化硅晶片加工用盘，其特征在于，所述碳化硅晶片加工用盘为圆盘。
7.根据权利要求1所述的碳化硅晶片加工用盘，其特征在于，所述碳化硅晶片加工用盘的高度沿着所述碳化硅晶片加工用盘的外缘向内侧逐渐降低。
8.根据权利要求1-7中任意一项所述的碳化硅晶片加工用盘，其特征在于，所述碳化硅晶片加工用盘的中心开设有安装槽；
所述安装槽上开设有与单面研磨机连接的螺纹孔。
9.根据权利要求8所述的碳化硅晶片加工用盘，其特征在于，所述安装槽上还开设有用于注入所述研磨液的注入通孔。
10.一种单面研磨机，包括单面研磨机主体，其特征在于，还包括如权利要求1-9中任意一项所述的碳化硅晶片加工用盘；
所述碳化硅晶片加工用盘安装在所述单面研磨机主体上；
所述单面研磨机主体上安装有喷洒到所述碳化硅晶片加工用盘盘面上研磨液的研磨液喷头；
或者
所述碳化硅晶片加工用盘上开设有注入研磨液的注入通孔。
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