[实用新型]一种存储芯片自毁装置有效

专利信息
申请号: 202020566792.X 申请日: 2020-04-16
公开(公告)号: CN211577878U 公开(公告)日: 2020-09-25
发明(设计)人: 周明春;孙万忠;刘静;韩学平 申请(专利权)人: 泰鑫高科(北京)技术有限公司
主分类号: G06F12/14 分类号: G06F12/14;G06F21/60;G06F21/79
代理公司: 南京理工大学专利中心 32203 代理人: 薛云燕
地址: 100020 北京市朝*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 存储 芯片 自毁 装置
【说明书】:

本实用新型公开了一种存储芯片自毁装置。该装置包括装配体、控制单元板和管脚转接板,所述装配体呈上下开口的盒状结构;所述装配体顶部设置控制单元板、底部设置管脚转接板,三者形成一个密封腔体,腔体内从上至下依次设置微爆结构体、隔离层和存储芯片;所述控制单元板的上表面设置集成控制电路;所述管脚转接板的底面设置有扩展管脚,存储芯片的管脚通过管脚转接板转接至扩展管脚;存储芯片通过扩展管脚接收外部控制信号,并经控制引线发送至集成控制电路,控制集成控制电路对微爆结构体进行引爆。本实用新型装置的结构可根据所保护存储芯片的形状进行调整,能够适应不同规格的存储芯片防护,具有良好的通用性和适应性。

技术领域

本实用新型涉及电子芯片安全防护技术领域,特别是一种存储芯片自毁装置。

背景技术

信息安全主要包括以下五方面的内容,即信息的保密性、真实性、完整性、未授权拷贝和所寄生系统的安全性。为了实现存储芯片所载电子信息安全保密的目的,需要在一定条件下使存储芯片具有自毁功能,在满足设定条件时,存储芯片能够快速的自毁。

当前业界使用的自毁装置多是以多种元器件组合在一起,例如北京石竹科技股份有限公司提出的专利1(申请号CN201220282536.3)公开了一种具有自毁功能的固态存储器,该固态存储器采用烧毁电源的方式,避免了MOSFET开关管的较大漏电流对NANDFlash芯片的IO信号及控制信号的信号完整性造成影响;并综合考虑了烧毁电流的控制,通过切换通道或者切断物理自毁电源的方式,解决了电源过载问题,降低了对物理自毁电源的要求;采用独立通道自毁方式,逐个烧毁NANDFlash芯片,确保每个NANDFlash芯片都能烧毁;但是该固态存储器的结构较为复杂,不能用于体积小的单一存储芯片上。福州瑞芯微电子股份有限公司提出的专利2(申请号为201610614718.9)公开了一种芯片自毁装置及方法,该装置包括密码确认模块、密码出错计数判定单元、保密级别设置存储单元、OTP烧写控制单元、OTPROM阵列、两个OTP值判断单元、EMMC初始化控制单元、EMMC存储颗粒、存储初始化单元以及保密信息存储单元;OTPROM阵列通过其中一个OTP值判断单元依次连接EMMC初始化控制单元和EMMC存储颗粒,并通过另一个OTP值判断单元依次连接存储初始化单元和保密信息存储单元,该装置在确认受到暴力破解的情况下可以让芯片自毁,或者只是完全消除保密数据而不损坏芯片;但是该装置采用多个单元组合,进而判断是否满足自毁条件,结构较为复杂,存在成本高、实现困难的缺点,并且在实现时难以避免地需要改变存储芯片外封装特点。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种通用性和适应性强的存储芯片自毁装置,在不改变存储芯片原有封装结构的前提下,将自毁装置与存储芯片结合进行系统封装,能够适应不同规格的存储芯片防护。

实现本实用新型目的的技术解决方案为:一种存储芯片自毁装置,包括装配体、控制单元板和管脚转接板,所述装配体呈上下开口的盒状结构;所述装配体顶部设置控制单元板、底部设置管脚转接板,三者形成一个密封腔体,腔体内从上至下依次设置微爆结构体、隔离层和存储芯片;

所述控制单元板的上表面设置集成控制电路;所述管脚转接板的底面设置有扩展管脚,存储芯片的管脚通过管脚转接板转接至扩展管脚;存储芯片通过扩展管脚接收外部控制信号,并经控制引线发送至集成控制电路,控制集成控制电路对微爆结构体进行引爆。

进一步地,所述控制单元板的上表面还设置销毁开关、开关隔离板和电源,其中:

所述销毁开关与集成控制电路连接,用于触发微爆结构体的引爆信号;开关隔离板设置于销毁开关下方,用于隔离销毁开关的导通,且开关隔离板能够从销毁开关下方抽取出来;

电源用于为集成控制电路、微爆结构体、存储芯片供电。

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