[实用新型]一种降低功率器件Rg的结构

说明书

本实用新型公开了一种降低功率器件Rg的结构，包括金属层，所述金属层为U形设置，所述金属层的后壁靠近中间处固定连接有竖板，所述竖板的左右两侧分别设置有直板，且直板固定安装在金属层的后壁上，两个所述直板和竖板之间分别设置有活动板，所述活动板的侧壁靠近顶部和底部处分别开设有滑孔，且滑孔内套设有滑动杆，所述滑动杆的两端分别穿过滑孔与竖板和直板的侧壁固定连接，所述活动板与竖板相远离的侧壁上固定连接有拉动杆，且直板的侧壁上开设有与拉动杆相匹配的通孔，所述拉动杆与活动板相远离的一端穿过通孔，并延伸到通孔外。本实用新型通过一系列的结构使得本装置具有可降低栅极电阻和安装便捷等特点。

技术领域

本实用新型涉及功率器件技术领域，具体为一种降低功率器件Rg的结构。

背景技术

目前的沟槽型MOSFET功率器件，栅极的电阻Rg完全由栅极多晶调整，但局限于工艺能力，栅极电阻达到一定的程度就不能再降低。从而大大降低了其工作效率，同时其在安装使用时其位置不可实现微调，从而会导致其安装位置不准确，使得其安装不便捷，大大降低了其安装效率，因此我们提出了一种降低功率器件Rg的结构。

实用新型内容

本实用新型解决的技术问题在于克服现有技术的栅极电阻不能再降低和安装不便捷等缺陷，提供一种降低功率器件Rg的结构。所述一种降低功率器件Rg的结构具有可降低栅极电阻和安装便捷等特点。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种降低功率器件Rg的结构，包括金属层，所述金属层为U形设置，所述金属层的后壁靠近中间处固定连接有竖板，所述竖板的左右两侧分别设置有直板，且直板固定安装在金属层的后壁上，两个所述直板和竖板之间分别设置有活动板，所述活动板的侧壁靠近顶部和底部处分别开设有滑孔，且滑孔内套设有滑动杆，所述滑动杆的两端分别穿过滑孔与竖板和直板的侧壁固定连接，所述活动板与竖板相远离的侧壁上固定连接有拉动杆，且直板的侧壁上开设有与拉动杆相匹配的通孔，所述拉动杆与活动板相远离的一端穿过通孔，并延伸到通孔外，所述拉动杆的顶部和底部上分别活动连接有斜杆，所述直板与活动板相远离的一侧靠近顶部处设置有第二安装板，所述斜杆与拉动杆相远离的一端与第二安装板的侧壁活动连接。

优选的，所述金属层的底部上安装有源极，所述源极的底部设置有漏极，所述漏极的左右两侧分别设置有栅极多晶，且两个所述栅极多晶的顶部上分别安装有硅化钨。

优选的，所述直板与活动板相远离的一侧靠近底部处设置有第一安装板，所述第一安装板与直板之间设置有T形杆，且T形杆的一端与直板的侧壁固定连接，所述T形杆上套设有活动环，所述活动环的侧壁和第一安装板的侧壁之间固定连接有连接杆，所述活动环的顶部和下方的斜杆底部之间活动连接有连杆。

优选的，所述拉动杆的顶部和底部上分别安装有第一矩形块，且第一矩形块的前壁上通过转轴和轴承活动连接有斜杆，所述斜杆与拉动杆相远离的后壁上通过转轴和轴承活动连接有第二矩形块，且第二矩形块固定安装在第二安装板上。

优选的，所述活动环的顶部上安装有第一连接块，且第一连接块的后壁通过转轴和轴承活动连接有连杆，所述连杆的后壁靠近顶部处通过转轴和轴承活动连接有第二连接块，且第二连接块固定连接在下方斜杆底部上。

优选的，所述活动环的顶部上安装有第一连接块，且第一连接块的后壁通过转轴和轴承活动连接有连杆，所述连杆的后壁靠近顶部处通过转轴和轴承活动连接有第二连接块，且第二连接块固定连接在下方斜杆底部上。

优选的，所述拉动杆位于两个滑动杆之间，且两个所述滑动杆以拉动杆的中心轴线为对称轴呈上下对称设置。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

1、在本技术方案中，在栅极多晶上增加一层硅化钨，有效降低栅极电阻，栅极电阻使得器件更快达到阈值电压，更快的开启，使用的硅化钨为半导体生产的常见材料；