[实用新型]有源大电流防反接电路

说明书

本实用新型公开了一种有源大电流防反接电路，包括输入端VIN+、输入端VIN‑、输出端VIN+O、输出端VIN‑O、MOS场效应管Q3、运算放大器U10A、电阻R7、电阻R49、电阻R52、电阻R53、电阻R54、电阻R55、电阻R57、电阻R60、电阻R61、电阻R62、电阻R63、电阻RV2、电容C18、电容C35、二极管VD11、二极管VD9、二极管VD12、二极管VZ7、三极管VT4，能够解决大电流输入防反接问题；本电路主要的功能特点是集合了有源器件MOS管导通时压降更低，损耗更小，可以满足更大电流的工作需求；通过电流采样模式，起到了更好的抗干扰能力。

技术领域

本实用新型涉及电子电路设备技术领域，具体领域为防反接电路设备。

背景技术

在现有技术中，无源防反接技术，采用二极管防反接方案，虽然可以实现防反接目的，但是受限于二极管导通压降，不能够应用在大电流输入电路，不然会引起二极管功耗过大过热；简易有源防反接电路，采用简易驱动MOS 管防反接方案，虽然可以实现防反接目的，但是由于简单的驱动电路容易受到供电总线电压波动干扰，引起MOS管误动作，引起后端设备异常断电。所以本实用新型设计了一种新的防反接电路以解决这一问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种有源大电流防反接电路，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：有源大电流防反接电路，包括输入端VIN+、输入端VIN-、输出端VIN+O、输出端VIN-O、MOS场效应管Q3、运算放大器U10A、电阻R7、电阻R49、电阻R52、电阻R53、电阻 R54、电阻R55、电阻R57、电阻R60、电阻R61、电阻R62、电阻R63、电阻 RV2、电容C18、电容C35、二极管VD11、二极管VD9、二极管VD12、二极管 VZ7、三极管VT4，所述MOS场效应管Q3的栅极与电阻R7和电阻R49串联后与输入端VIN+和输出端VIN+O之间的节点相连接，所述MOS场效应管Q3的漏极与输入端VIN-相连接，所述电阻R52与电阻R54并联后两端分别与输出端 VIN-O和MOS场效应管Q3的源极相连接，所述电容C18的一端与MOS场效应管Q3的栅极相连接，其另一端与MOS场效应管Q3的源极相连接，所述电阻R53的一端与MOS场效应管Q3的栅极相连接，所述电阻R53的另一端与MOS 场效应管Q3的源极相连接，所述二极管VD11的正极与电阻R7和MOS场效应管Q3的栅极之间的节点相连接，所述二极管VD11的负极与二极管VZ7的负极相连接，所述二极管VZ7的正极与MOS场效应管Q3的源极相连接，所述MOS 场效应管Q3的源极与MOS场效应管Q3的漏极之间连接有电阻RV2，所述MOS 场效应管Q3的源极与电阻R52之间的节点作为负电源与运算放大器U10A相连接，所述运算放大器U10A的反向输入端连接与电阻R61的一端相连接，所述电阻R61的另一端接收电阻R52和电阻R54之间的采样电压CS，所述运算放大器U10A的输出端与二极管VD9的正极相连接，所述二极管VD9的负极与电阻R62的一端相连接，所述电阻R62的另一端与三极管VT4的基极相连，所述三极管VT4的集电极与MOS场效应管Q3的栅极和电阻R7之间的节点相连接，所述三极管VT4的发射极与电阻R60的一端相连接，所述电阻R60的另一端与电阻R61和运算放大器U10A之间的节点相连接，所述运算放大器 U10A的同向输入端与电阻R57的一端相连接，所述电阻R57的另一端与三极管VT4的发射极相连接，所述运算放大器U10A的反向输入端与电阻R61之间的节点与二极管VD12的正极相连接，所述二极管VD12的负极与三极管VT4 的发射极和电阻R60之间的节点相连接，所述运算放大器U10A的正电源输入端与电容C35的一端相连接，所述电容C35的另一端与三极管VT4的发射极和电阻R60之间的节点相连接，所述电容C35与运算放大器U10A的正电源输入端之间的节点上连接有电源VCC，所述运算放大器U10A的同相输入端与运算放大器U10A的输出端之间连接有电阻R55。

优选的，所述二极管VZ7为稳压二极管。