[实用新型]有源大电流防反接电路

权利要求书

1.有源大电流防反接电路，其特征在于：包括输入端VIN+、输入端VIN-、输出端VIN+O、输出端VIN-O、MOS场效应管Q3、运算放大器U10A、电阻R7、电阻R49、电阻R52、电阻R53、电阻R54、电阻R55、电阻R57、电阻R60、电阻R61、电阻R62、电阻R63、电阻RV2、电容C18、电容C35、二极管VD11、二极管VD9、二极管VD12、二极管VZ7、三极管VT4，所述MOS场效应管Q3的栅极与电阻R7和电阻R49串联后与输入端VIN+和输出端VIN+O之间的节点相连接，所述MOS场效应管Q3的漏极与输入端VIN-相连接，所述电阻R52与电阻R54并联后两端分别与输出端VIN-O和MOS场效应管Q3的源极相连接，所述电容C18的一端与MOS场效应管Q3的栅极相连接，其另一端与MOS场效应管Q3的源极相连接，所述电阻R53的一端与MOS场效应管Q3的栅极相连接，所述电阻R53的另一端与MOS场效应管Q3的源极相连接，所述二极管VD11的正极与电阻R7和MOS场效应管Q3的栅极之间的节点相连接，所述二极管VD11的负极与二极管VZ7的负极相连接，所述二极管VZ7的正极与MOS场效应管Q3的源极相连接，所述MOS场效应管Q3的源极与MOS场效应管Q3的漏极之间连接有电阻RV2，所述MOS场效应管Q3的源极与电阻R52之间的节点作为负电源与运算放大器U10A相连接，所述运算放大器U10A的反向输入端连接与电阻R61的一端相连接，所述电阻R61的另一端接收电阻R52和电阻R54之间的采样电压CS，所述运算放大器U10A的输出端与二极管VD9的正极相连接，所述二极管VD9的负极与电阻R62的一端相连接，所述电阻R62的另一端与三极管VT4的基极相连，所述三极管VT4的集电极与MOS场效应管Q3的栅极和电阻R7之间的节点相连接，所述三极管VT4的发射极与电阻R60的一端相连接，所述电阻R60的另一端与电阻R61和运算放大器U10A之间的节点相连接，所述运算放大器U10A的同向输入端与电阻R57的一端相连接，所述电阻R57的另一端与三极管VT4的发射极相连接，所述运算放大器U10A的反向输入端与电阻R61之间的节点与二极管VD12的正极相连接，所述二极管VD12的负极与三极管VT4的发射极和电阻R60之间的节点相连接，所述运算放大器U10A的正电源输入端与电容C35的一端相连接，所述电容C35的另一端与三极管VT4的发射极和电阻R60之间的节点相连接，所述电容C35与运算放大器U10A的正电源输入端之间的节点上连接有电源VCC，所述运算放大器U10A的同相输入端与运算放大器U10A的输出端之间连接有电阻R55。

2.根据权利要求1所述的有源大电流防反接电路，其特征在于：所述二极管VZ7为稳压二极管。

3.根据权利要求1所述的有源大电流防反接电路，其特征在于：所述电阻RV2为压敏电阻，且作为嵌位电压从而保护MOS场效应管Q3的源极和MOS场效应管Q3的漏极。

4.根据权利要求1所述的有源大电流防反接电路，其特征在于：所述MOS场效应管Q3为N沟道耗尽型场效应管。