[实用新型]CSP类型的封装结构

说明书

本实用新型提出一种CSP类型的封装结构，用于MOS元件封装，所述封装结构包括：PCB板以及PCB板上的第一铜箔、第二铜箔、第一信号线、第二信号线、多个用于连接所述MOS元件的引脚的焊盘；其中，所述第一铜箔与所述第二铜箔隔开预设距离，以形成布线空间，所述第一信号线和第二信号线的起始端位于所述布线空间内，所述第一铜箔和第二铜箔上分别设有至少两个靠近所述布线空间的界线的焊盘，所述第一信号线和第二信号线的起始端上分别设有一个焊盘。本实用新型通过改良封装结构，减小PCB板的内阻、降低PCB板的温升、增大PCB板可承受的最大持续电流。

技术领域

本实用新型涉及MOS封装技术领域，特别涉及一种CSP类型的封装结构。

背景技术

现有CSP(Chip Scale Package封装)类型MOS元件封装技术，两个铜箔上的对应焊盘中心距为0.65mm左右，采用均匀阵列式分布，源极焊点分布在外侧，栅极焊点分布在中间。此种设计不利于PCB布线，在布置中间栅极信号线时需要在铜箔内部大面积打通孔，受PCB板板宽的限制，导致打通孔后的铜箔宽度减小，导致PCB的内阻和温升相应增加，进一步导致通电电流降低。

实用新型内容

本实用新型的主要目的为提供的一种CSP类型的封装结构，旨在解决PCB 布线不合理，导致PCB板的温升和内阻增加的问题。

为了实现上述发明目的，本实用新型提出一种CSP类型的封装结构，用于MOS元件封装，所述封装结构包括：PCB板以及PCB板上的第一铜箔、第二铜箔、第一信号线、第二信号线、多个用于连接所述MOS元件的引脚的焊盘；其中，所述第一铜箔与所述第二铜箔隔开预设距离，以形成布线空间，所述第一信号线和第二信号线的起始端位于所述布线空间内，所述第一铜箔和第二铜箔上分别设有至少两个靠近所述布线空间的界线的焊盘，所述第一信号线和第二信号线的起始端上分别设有一个焊盘。

进一步地，所述焊盘包括第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘、第四焊盘、第五焊盘和第六焊盘，所述第一焊盘和第三焊盘设置在所述第一铜箔上，所述第四焊盘和第六焊盘设置在所述第二铜箔上，所述第二焊盘设置在所述第一信号线的起始端上，所述第五焊盘设置在所述第二信号线的起始端上，其中：

所述第一焊盘与所述第六焊盘距离所述第二焊盘与所述第五焊盘距离的1.35倍；

所述第三焊盘与所述第四焊盘距离所述第二焊盘与所述第五焊盘距离的1.35倍。

进一步地，所述第一焊盘与所述第六焊盘距离为1.10－1.50mm；

所述第三焊盘与所述第四焊盘距离为1.10－1.50mm；

所述第二焊盘与所述第五焊盘距离为0.50－0.80mm。

进一步地，所述PCB板的板宽为3.40－3.60mm。

进一步地，所述第一焊盘与所述第六焊盘的中心连线、所述第二焊盘与所述第五焊盘的中心连线、所述第三焊盘与所述第四焊盘的中心连线三者平行。

进一步地，所述第一焊盘与所述第六焊盘的连线、所述第二焊盘与所述第五焊盘的连线、所述第三焊盘与所述第四焊盘的连线与所述PCB板的宽度方向垂直。

进一步地，所述第一铜箔和第二铜箔上限定所述布线空间的边界分别设有相对布置的避让缺口，第一信号线和第二信号线的起始端分别位于所述避让缺口内。

进一步地，所述第一铜箔宽度为2.53－2.75mm；所述第二铜箔宽度为2.53 －2.75mm。

进一步地，所述第一铜箔位于所述第一信号线L形开口一侧；所述第二铜箔位于所述第二信号线L形开口一侧。

进一步地，所述第一铜箔位于所述第二信号线L形开口一侧；所述第二铜箔位于所述第一信号线L形开口一侧。