[实用新型]一种高功率ChiP LED基板

说明书

本实用新型公开了一种高功率ChiP LED基板，包括BT基板，所述BT基板上设有呈矩阵分布的铜箔组，所述铜箔组包括两个铜箔块，且两个铜箔块相邻一边均设有圆孔，相邻两个铜箔组之间设有绝缘保护层，所述BT基板内靠近每个铜箔块位置设有多个铜柱，且铜柱一端与铜箔块相连接。本实用新型可以提升BT基板的导热系数，导热效果更好，铜箔增大，并设置铜柱，提升散热效果，丰富散热途径。

技术领域

本实用新型涉及LED技术领域，尤其涉及一种高功率ChiP LED基板。

背景技术

ChiP LED即芯片级发光二极管。基板是其重要的组成部分，现有的ChiP LED基板导热效果一般，不适用大功率ChiP LED，所以现提出一种高功率ChiP LED基板。

发明内容

本实用新型的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的一种高功率ChiPLED基板。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

一种高功率ChiP LED基板，包括BT基板，所述BT基板上设有呈矩阵分布的铜箔组，所述铜箔组包括两个铜箔块，且两个铜箔块相邻一边均设有圆孔，相邻两个铜箔组之间设有绝缘保护层，所述BT基板内靠近每个铜箔块位置设有多个铜柱，且铜柱一端与铜箔块相连接。

优选的，相邻所述铜箔块之间的间距为0.08～0.2MM。

优选的，所述BT基板内包含有陶瓷纤维。

本实用新型的有益效果为：

BT基板增添陶瓷纤维，提升BT基板的导热系数，导热效果更好，铜箔增大，并设置铜柱，提升散热效果，丰富散热途径。

附图说明

图1为本实用新型提出的一种高功率ChiP LED基板的结构示意图。

图中：1BT基板、2绝缘保护层、3铜柱、4铜箔块、5圆孔。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。

参照图1，一种高功率ChiP LED基板，包括BT基板1，BT基板1上设有呈矩阵分布的铜箔组，铜箔组包括两个铜箔块4，且两个铜箔块4相邻一边均设有圆孔5，相邻两个铜箔组之间设有绝缘保护层2，BT基板1内靠近每个铜箔块4位置设有多个铜柱3，且铜柱3一端与铜箔块4相连接。

本实用新型中，相邻铜箔块4之间的间距为0.08～0.2MM，BT基板1内包含有陶瓷纤维。

以上所述，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。