[实用新型]一种非易失性存储器结构

说明书

本实用新型公开了一种非易失性存储器结构，属于集成电路技术领域。本实用新型的存储器结构包括：衬底；至少两个隔离结构，每个隔离结构位于衬底中且所述隔离结构的顶面高于衬底表面；凹部，位于每个隔离结构侧壁与相邻衬底侧壁之间，凹部的轮廓线呈弧形曲线型；隧穿氧化层，位于衬底的表面及侧壁；浮栅层，位于隧穿氧化层上及凹部内；介电层，位于浮栅层上；控制栅层，位于介电层上。本实用新型提供的栅极结构包括多个电流隧穿通道控制面，有效的提高了栅极对于电流隧穿通道的控制能力，减少漏电，提高了非易失性存储器的饱和电流。

技术领域

本实用新型属于集成电路技术领域，特别是涉及一种非易失性存储器结构。

背景技术

非易失性存储器(Non-VolatileMemory，NVM)是所有形式的固态存储器，其无须定期对存储器中存储的数据进行刷新。非易失性存储器包括所有形式的只读存储器(ROM)，如可编程只读存储器(PROM)、可擦可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除只读存储器(EEPROM)和闪存(Flash)，也包括电池供电的随机存取储存器(RAM)。随着器件特征尺寸不断缩小，集成度不断提高，传统的基于电荷存储的非易失性存储器将面临物理与技术的极限。非易失性存储器随着工艺尺寸的不断微缩，短沟道效应SCE(shortchanneleffect)影响加剧，导致栅极对电流通道的控制能力减弱，漏电增加，此外，受限于短沟道效应带来的负面影响会直接限制先进工艺的尺寸，从而无法获取更高集成度的产品。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种非易失性存储器结构，解决了现有的非易失性存储器中栅极对电流隧穿通道的控制能力弱的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型是通过以下技术方案实现的：

本实用新型提供一种非易失性存储器结构，其包括：

衬底；

至少两个隔离结构，每个所述隔离结构位于所述衬底中且其顶面高于所述衬底表面；

凹部，其位于每个所述隔离结构侧壁与相邻所述衬底侧壁之间；

隧穿氧化层，其位于所述衬底的表面及所述衬底侧壁上；

栅极层，其位于所述隧穿氧化层上，且覆盖所述隧穿氧化层和所述凹部。

在本实用新型的一个实施例中，所述隔离结构呈倒置梯形。

在本实用新型的一个实施例中，所述栅极层包括层叠设置的浮栅层、介电层和控制栅层。

在本实用新型的一个实施例中，所述浮栅层位于所述隧穿氧化层和所述凹部上且所述浮栅层的上表面与所述隔离结构的上表面齐平。

在本实用新型的一个实施例中，所述介电层位于所述浮栅层上。

在本实用新型的一个实施例中，所述介电层包括层叠设置的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层。

在本实用新型的一个实施例中，所述控制栅层位于所述介电层上。

在本实用新型的一个实施例中，所述衬底上设有阱注入区域。

在本实用新型的一个实施例中，所述凹部的横截面呈弧形曲线型。

在本实用新型的一个实施例中，所述凹部和所述衬底侧壁邻接的曲面的曲率半径与所述凹部和所述隔离结构侧壁邻接的曲面的曲率半径不相同。

本实用新型在非易失性存储器结构中形成具有多个电流隧穿通道控制面的栅极结构，这有效的增加了栅极对电流隧穿通道的控制能力，减少了漏电。另外具有多个电流隧穿通道控制面的栅极结构可以增加有效电流隧穿通道的宽度，从而提高了非易失性存储器的饱和电流，在实际应用中，增大了对电荷的获取能力。由于有效电流隧穿通道宽度的增加，从而可以在保持原有性能的同时，在水平方向上进行一定程度的微缩，使器件达到更大的集成度。