[实用新型]一种非易失性存储器结构有效
| 申请号： | 202020519503.0 | 申请日： | 2020-04-10 |
| 公开（公告）号： | CN211480027U | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 张傲峰;李建财 | 申请（专利权）人： | 合肥晶合集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11517 | 分类号： | H01L27/11517;H01L27/11521 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 苗晓娟 |
| 地址： | 230012 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 非易失性存储器 结构 | ||
1.一种非易失性存储器结构，其特征在于，其包括：
衬底；
至少两个隔离结构，每个所述隔离结构位于所述衬底中且其顶面高于所述衬底表面；
凹部，其位于每个所述隔离结构侧壁与相邻所述衬底侧壁之间；
隧穿氧化层，其位于所述衬底的表面及所述衬底侧壁上；
栅极层，其位于所述隧穿氧化层和所述凹部上。
2.根据权利要求1所述一种非易失性存储器结构，其特征在于，所述隔离结构呈倒置梯形。
3.根据权利要求1所述一种非易失性存储器结构，其特征在于，所述栅极层包括层叠设置的浮栅层、介电层和控制栅层。
4.根据权利要求3所述一种非易失性存储器结构，其特征在于，所述浮栅层位于所述隧穿氧化层和所述凹部上，且所述浮栅层的上表面和所述隔离结构的上表面齐平。
5.根据权利要求3所述一种非易失性存储器结构，其特征在于，所述介电层位于所述浮栅层上。
6.根据权利要求3所述一种非易失性存储器结构，其特征在于，所述介电层包括层叠设置的第一氧化硅层、氮化硅层和第二氧化硅层。
7.根据权利要求3所述一种非易失性存储器结构，其特征在于，所述控制栅层位于所述介电层上。
8.根据权利要求1所述一种非易失性存储器结构，其特征在于，所述衬底上设有阱注入区域。
9.根据权利要求1所述一种非易失性存储器结构，其特征在于，所述凹部的横截面呈弧形曲线型。
10.根据权利要求1所述一种非易失性存储器结构，其特征在于，所述凹部和所述衬底侧壁邻接的曲面的曲率半径与所述凹部和所述隔离结构侧壁邻接的曲面的曲率半径不相同。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
