[实用新型]一种提升单面PERC电池转换效率的背膜结构

说明书

本实用新型涉及一种提升单面PERC电池转换效率的背膜结构。它包括电池片，其特征在于：所述电池片的背面依次沉积有氧化铝膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、氮化硅膜。现有生产工艺得到的硅片背膜结构一般只有氧化铝层和氮化硅层，相比现有产品，本实用新型的背面结构新增了氧化硅膜和氮氧化硅膜，由氧化铝膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜和氮化硅膜组成的复合膜层结构是很好的背反射器。高折射率的氮氧化硅膜可以很好的增加电池背面对长波段太阳光的反射，使长波光再次进入硅片体内，增加长波光的吸收，从而提升电池开压和电流最终实现转换效率的提升。

技术领域

本实用新型涉及一种单面PERC电池的背膜结构，尤其是涉及一种提升单面PERC电池转换效率的背膜结构。

背景技术

目前，随着环境问题和能源问题得到越来越多人的关注，太阳能电池作为一种清洁能源，人们对其研究开发利用已经进入到了一个新的阶段。为了降低晶硅成本，适应竞争激烈的光伏产业，晶硅电池厚度越来越薄，因为晶体硅是间隙带材料，光吸收系数小，由透射光引起的损失会随着硅片厚度的减小而增大，所以在晶硅日益减薄的今天，基于较薄晶硅的高效电池技术是各大企业与高校机构的研究重点。目前主要研究热点有HIT电池、WMT电池、N型双面电池、P型SEPERC电池等，其中P型SEPERC电池因其工艺相对成熟，量产难度低，已成为市场主流电池技术。

因此改进背面膜层结构以及优化镀膜工艺，增强电池片背反射，增加长波光的吸收，提升P型单面电池的光电转换效率，是太阳能电池行业研究的重点。

发明内容

本实用新型提供了一种提升单面PERC电池转换效率的背膜结构；解决现有技术中存在硅片厚度减小而引起光吸收系数降低的问题。

本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的：一种提升单面PERC电池转换效率的背膜结构，包括电池片，其特征在于：所述电池片的背面依次沉积有氧化铝膜、氧化硅膜、氮氧化硅膜、氮化硅膜。

本实用新型的制备过程分为步骤1：制备氧化铝膜，将电池片装入石墨舟中，并送入沉积炉管内，首先在电池片背面上制备氧化铝膜；

步骤2：背面制备氧化硅膜，在沉积炉管中进行氧化硅膜的沉积，氧化硅膜的沉积温度为400℃～500℃，射频功率为8kw～11kw，占空比为1:25～1:30，炉管压力为900～1200mtorr，氧化硅膜的沉积气体流量比为SiH₄：N₂O=0.10:1～0.03:1，氧化硅膜的沉积时间为220±30s；

步骤3：背面制备氮氧化硅膜，在沉积炉管中进行氮氧化硅膜的沉积，氮氧化硅膜的沉积温度为400℃～500℃，射频功率为8kw～11kw，占空比为1:14～1:18，炉管压力为1300～1600mtorr，氮氧化硅膜的沉积气体流量比为SiH₄：NH₃：N₂O=1:3:0.6～1:2:0.4，氮氧化硅膜的沉积时间为100±30s；

步骤4：背面制备双层氮化硅膜，在沉积炉管中进行氮化硅膜的沉积，氮化硅膜的沉积温度为400℃～500℃，射频功率为10kw～15kw，占空比为1:10～1:15，炉管压力为1400～1800mtorr，第一层氮化硅膜的沉积气体流量比为SiH₄：NH₃=0.3:1～0.25:1，第一层氮化硅膜的沉积时间为160±30s；第二层氮化硅膜的沉积气体流量比为SiH₄：NH₃=0.18:1～0.13:1，第二层氮化硅膜的沉积时间为220±30s。